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场效应MOS管FDD7030BL参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:56AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0095ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD7030BL是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和切换应用中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 直流-直流转换器:FDD7030BL常用于DC-DC转换器中,特别是在需要高效率和快速切换的场合。这种MOSFET能够在高频率下工作,确保转换效率和稳定性。

    2. 电动汽车(EV)充电器:在电动汽车充电器中,FDD7030BL扮演着关键角色。它可以处理高电流和高电压,保证充电过程的安全和效率。

    3. 电机控制系统:FDD7030BL适用于电机控制系统,特别是在工业自动化和机器人领域。它能够提供高效的电力传输和精确的控制。

    4. 不间断电源(UPS):不间断电源系统需要高可靠性的功率器件,FDD7030BL由于其低导通电阻和高耐压特性,成为这些系统中的理想选择。

    5. 消费电子产品:在消费电子产品中,例如笔记本电脑和智能手机,FDD7030BL被用作电源管理和保护电路的一部分。它的高效能和可靠性确保了设备的正常运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD7030BL的导通电阻非常低,典型值为8毫欧姆。这意味着在工作时,MOSFET的功耗较低,提高了整体系统的效率。

    - 高耐压能力:该器件的漏源极电压(VDS)可达30V,能够处理高电压环境下的应用需求。

    - 高脉冲电流能力:FDD7030BL具有极高的脉冲电流能力,最大可达120A。这使得它在需要处理瞬态高电流的应用中表现优异。

    - 快速开关速度:FDD7030BL的开关速度非常快,能够在纳秒级完成导通和关断。这对需要高频切换的应用,如开关电源和高频DC-DC转换器,尤为重要。

    - 封装类型:FDD7030BL采用了符合工业标准的TO-252封装。这种封装不仅具有良好的散热性能,还可以兼容自动化生产线,提高生产效率。

    综上所述,FDD7030BL由于其低导通电阻、高耐压、高脉冲电流能力、快速开关速度以及优秀的封装设计,在多个领域表现出色。它的广泛应用场景和卓越参数特点,使其成为许多电子设备中的关键组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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