收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FDD6782A参数

场效应MOS管FDD6782A参数

PD最大耗散功率:31WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.0105ΩVRDS(ON)ld通态电流:14.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FDD6782A是一种常见的N沟道功率MOSFET,其广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在笔记本电脑、台式计算机、服务器等设备中,FDD6782A常用于DC-DC转换器和开关模式电源中,以提高转换效率和稳定性。

    2. 电动工具:由于FDD6782A具有低导通电阻和高开关速度,它在电动工具中的马达驱动电路中扮演重要角色,帮助实现高效能量传递。

    3. 汽车电子:在汽车电子领域,FDD6782A可用于电子控制单元(ECU)、电动座椅控制、车灯管理等系统,提供可靠的电流控制和保护功能。

    4. 工业控制:在工业自动化设备中,FDD6782A常用于电机驱动、电源调节等领域,帮助实现精确控制和高效能量管理。

    5. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑等消费电子产品中,FDD6782A可用于电池管理系统、充电器和音频放大器电路,以提高设备性能和延长电池寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD6782A的导通电阻非常低,典型值为6.5mΩ,这意味着在导通状态下,它能够提供极低的电阻,从而减少功耗和发热,提高系统效率。

    - 高开关速度:FDD6782A具备快速的开关速度,这使其在高频应用中表现优异,能够有效减少开关损耗和提高转换效率。

    - 高电流处理能力:FDD6782A具有较高的电流处理能力,最高可达80A,这使其适用于高功率应用,能够稳定地传输大量电流而不损坏。

    - 高耐压值:FDD6782A的漏源极耐压(VDS)为30V,适用于大多数中低压应用,能够在较高电压下稳定工作。

    - 增强型安全性:FDD6782A具备较高的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下保持稳定的性能,并且具有过热保护等安全特性,确保电路的安全运行。

    通过这些详细描述,我们可以看到FDD6782A在各种应用场景中的广泛应用及其突出的参数特点,使其成为电源管理、汽车电子、工业控制等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号