收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FDD6778A参数

场效应MOS管FDD6778A参数

PD最大耗散功率:24WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.014ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FDD6778A是一款常见的N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于各种电子电路和电源管理系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDD6778A常用于DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统等场合。由于其低导通电阻和高开关速度,能够有效提高电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,FDD6778A作为开关元件能够精确控制电机的启停和速度调节,广泛应用于电动车、机器人和工业自动化设备中。

    3. 照明设备:FDD6778A也常用于LED驱动电路中,凭借其高效能和稳定性,确保LED灯具的长寿命和高亮度输出。

    4. 消费电子:在手机、平板电脑等消费电子产品的充电和电源管理模块中,FDD6778A凭借其紧凑的封装和出色的散热性能,满足了现代电子设备对小型化和高效能的需求。

    5. 新能源领域:FDD6778A还在太阳能逆变器、风能发电机等新能源设备中广泛应用,助力绿色能源的高效转换和利用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDD6778A的典型导通电阻为7.5mΩ,在高电流下能够减少功率损耗,提高系统效率。这一特点使其特别适合需要高效能和低损耗的应用场合。

    - 高耐压:FDD6778A的漏源极电压(Vds)额定值为30V,能够承受较高的电压应力,适用于需要高电压开关的电路设计。

    - 高开关速度:FDD6778A的栅极电荷(Qg)较低,通常为20nC左右,能够实现快速开关,减少开关损耗,提高转换效率。这在高频开关电源和高速电机驱动中尤为重要。

    - 优良的热性能:FDD6778A具有较低的热阻(Rth),通常在2.5℃/W左右,能够有效散热,确保在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。

    - 紧凑的封装:FDD6778A采用PowerPAK SO-8封装,这种封装形式不仅尺寸小巧,而且具有良好的电气和热性能,适合高密度电路板设计和大批量自动化生产。

    综上所述,FDD6778A凭借其低导通电阻、高耐压、高开关速度、优良的热性能以及紧凑的封装,在电源管理、电机控制、照明设备、消费电子和新能源领域都有着广泛的应用。其卓越的性能特点使其成为电子工程师在设计高效能电路时的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号