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场效应MOS管FDD6776A参数

PD最大耗散功率:39WID最大漏源电流:30AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.0075ΩVRDS(ON)ld通态电流:17.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD6776A是一款广泛应用于电源管理和负载开关的N沟道功率MOSFET。这种器件在许多电子设备和系统中起着关键作用,以下是一些典型的应用场景:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDD6776A常用于直流-直流转换器和稳压电源中,作为开关元件来调节输出电压。其低导通电阻和高开关速度使其能够有效地转换能量,提高系统效率。

    2. 电池保护电路:在便携式电子设备如智能手机和笔记本电脑中,FDD6776A可以用于电池保护电路,防止过充电和过放电。它的高电流处理能力确保了电池在高负载下的安全运行。

    3. 电机驱动:FDD6776A适用于电机驱动应用,如电动工具和家电中的无刷直流电机。其高功率处理能力和快速开关特性使其能够精确控制电机转速和扭矩。

    4. 负载开关:在电子系统中,FDD6776A可以用作负载开关,用于控制不同负载的开关状态。它的低栅极电荷和低开关损耗使其在这种应用中表现出色。

    5. 太阳能逆变器:FDD6776A在太阳能发电系统中也有广泛应用,特别是在逆变器中用作开关元件,负责将直流电转换为交流电。其高效能和可靠性使其成为这一领域的理想选择。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD6776A的导通电阻非常低,典型值为2.8毫欧。这意味着在导通状态下的功耗很低,有助于提高整个系统的能效。

    - 高额定电流:该器件能够处理高达80安培的连续漏极电流,这使得FDD6776A非常适合高电流应用,如电机驱动和电源管理。

    - 耐高压:FDD6776A的漏极-源极耐压高达30伏,能够在较高电压下稳定运行,适用于需要高耐压的应用场景。

    - 快速开关速度:该MOSFET的开关速度非常快,栅极电荷仅为29纳库仑,这使得FDD6776A能够在高频率下高效运行,减少开关损耗。

    - 可靠性和耐用性:FDD6776A具有出色的热稳定性和可靠性,能够在宽温度范围内稳定工作。这使其在工业和消费电子等领域中能够长期可靠运行。

    综上所述,FDD6776A凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,成为许多电子设计中的关键元件。其低导通电阻、高额定电流、耐高压和快速开关速度,使其在各种复杂和高要求的应用中均能表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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