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场效应MOS管FDD6692参数

PD最大耗散功率:28WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:8ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD6692是一种性能卓越的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。以下详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在现代电子设备中,电源管理系统是核心部分。FDD6692凭借其高效率和低导通电阻,在开关电源和电源转换器中表现优异。这种高效能使其成为笔记本电脑、服务器和台式机等设备电源模块的首选。

    2. 电动工具:对于需要高功率和高效率的电动工具,FDD6692是理想的选择。它在提供稳定电流的同时,能有效减少热量产生,提升工具的使用寿命和可靠性。

    3. 汽车电子:在汽车电子领域,FDD6692被广泛用于电动和混合动力汽车的驱动系统中。它的高电流承载能力和耐高压特性,确保了在严苛环境下的稳定运行。

    4. 通信设备:现代通信设备对功率元件的需求越来越高。FDD6692在基站和路由器等通信设备中,通过提供稳定的电源转换,保障了设备的高效运行和长时间稳定性。

    5. 工业控制系统:在工业控制和自动化系统中,FDD6692凭借其高可靠性和耐用性,广泛应用于各类控制电路和驱动电路中,确保系统的稳定和高效。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDD6692的典型导通电阻为12毫欧姆,这使其在高电流应用中具有低功耗和高效率的优势,极大地降低了能源消耗和发热量。

    - 高电流承载能力:该型号的最大漏极电流(ID)高达35安培,适合需要大电流的应用场景,例如电动工具和电源管理系统。

    - 耐高压特性:FDD6692的漏源极耐压(VDS)为60伏特,能够在高压环境中稳定工作,广泛应用于汽车电子和工业控制系统中。

    - 快速开关速度:FDD6692的开关速度非常快,典型的开关时间在10纳秒以内。这一特性使其在需要快速响应的电路中表现出色,如通信设备和高速开关电源。

    - 热性能优异:FDD6692具有良好的热性能,最大结温(Tj)为175摄氏度,结合其低热阻特性,确保了在高温环境下的稳定运行。

    综上所述,FDD6692以其卓越的性能和广泛的应用,成为现代电子设备中不可或缺的重要元件。其低导通电阻、高电流承载能力、耐高压特性、快速开关速度和优异的热性能,满足了不同应用场景的需求,确保了系统的高效和可靠运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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