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场效应MOS管FDD6688参数

PD最大耗散功率:83WID最大漏源电流:84AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.005ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD6688是一款高性能的场效应晶体管,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDD6688常用于电源管理系统中,特别是在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。由于其高效率和低损耗,能够显著提升电源转换效率,降低能耗和发热。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电力驱动系统中,FDD6688因其高电流承载能力和高开关速度,被广泛用于逆变器和电机控制器中,有助于提高车辆的整体性能和效率。

    3. 工业自动化:在工业自动化设备中,FDD6688用于电机驱动和控制电路。其高可靠性和耐高温特性,使其在严苛的工业环境中表现出色,保证了设备的稳定运行。

    4. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中,FDD6688被用于电源管理模块和充电系统。其小尺寸和高效率特点,有助于延长电池寿命和减少设备的发热量。

    5. 通信设备:FDD6688也广泛应用于无线通信基站和其他通信设备中。其高频特性和低导通电阻,使其在高频信号处理和功率放大器中具有重要作用,提高了信号传输的稳定性和效率。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):FDD6688具有极低的导通电阻,这意味着在开通状态下,电流通过时的能量损失非常小。这有助于提高整体系统的效率,尤其是在高电流应用中。

    2. 高击穿电压:FDD6688的击穿电压(Vds)通常较高,能够承受更高的电压应力。这使其在高压应用中更加可靠,不易发生击穿损坏。

    3. 高开关速度:由于FDD6688的开关速度快,可以在高频应用中表现优异。其快速的开关特性,有助于减少开关损耗,提高系统的整体效率。

    4. 低栅极电荷(Qg):FDD6688的栅极电荷较低,这意味着驱动器所需的能量较少,可以更高效地驱动。低栅极电荷有助于降低开关损耗和驱动功率需求。

    5. 高可靠性:FDD6688在设计上考虑了各种严苛环境下的使用需求,具有高可靠性和长寿命。在高温、高湿等恶劣条件下,仍能保持稳定的性能。

    通过以上对FDD6688应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出其在各类电子设备和系统中具有广泛的应用前景和优异的性能表现。FDD6688的高效能和高可靠性,使其成为各类电力电子系统中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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