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场效应MOS管FDD6680S参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:55AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0011ΩVRDS(ON)ld通态电流:12.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD6680S是一种高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效开关的电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDD6680S常被用于电源管理系统中的DC-DC转换器和AC-DC电源供应器。它的高效能和低导通电阻特性,使其在开关模式电源中能够显著减少功率损耗,提高系统效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和电动驱动系统中,FDD6680S的高电流处理能力和快速开关特性能够满足高功率需求,提高车辆的整体性能和续航能力。

    3. 太阳能逆变器:FDD6680S在太阳能逆变器中的应用也非常普遍。它能够在高频率下高效转换能量,降低逆变器的功率损耗,提升太阳能系统的整体效率。

    4. 工业自动化设备:在工业自动化设备如电机驱动、可编程逻辑控制器(PLC)中,FDD6680S的高耐压和高效能开关特性,使其能够稳定可靠地工作,提高设备的运行效率和寿命。

    5. 消费电子:在包括智能手机、笔记本电脑和便携式电子设备在内的消费电子产品中,FDD6680S的低功耗和高效率特性,使其能够延长电池寿命,提升用户体验。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD6680S具有极低的导通电阻,在10V栅极驱动电压下典型值仅为8毫欧。这意味着在相同电流条件下,该器件能够减少功率损耗,提高整体系统效率。

    - 高电流处理能力:FDD6680S最高可处理高达68安培的连续漏极电流,能够满足大电流应用的需求,适用于高功率转换和驱动电路。

    - 耐高压:FDD6680S的漏极-源极耐压为30V,能够在高压环境下稳定工作。这使其在需要处理较高电压的电路中具有广泛应用。

    - 快速开关速度:FDD6680S具有极快的开关速度,能够显著降低开关损耗。这对于提高开关电源和逆变器等高频应用的效率尤为重要。

    - 热性能优异:FDD6680S具有良好的热性能,热阻(结到壳体)仅为1.4°C/W。这使得该器件在高功率应用中能够有效散热,保持稳定工作。

    综上所述,FDD6680S作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其卓越的参数特点和广泛的应用场景,成为许多电子电路设计中的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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