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场效应MOS管FDD6680A参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:56AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0095ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD6680A是一款非常广泛应用于电源管理系统的功率MOSFET,其优越的性能使其在各种电子设备中得到了广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDD6680A常用于各种电源管理系统中,特别是在DC-DC转换器和AC-DC适配器中发挥重要作用。其低导通电阻和高效率使得系统在转换过程中能量损耗更小,效率更高。

    2. 电机驱动器:在电机驱动应用中,FDD6680A被用来控制电机的开关和速度。其高电流处理能力和低开关损耗使其成为电机控制的理想选择,能够提高系统的整体性能和可靠性。

    3. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备中,FDD6680A用于电池管理和电源分配系统。其紧凑的封装和高效能特性,使得这些设备能够在有限的空间内实现高效的电源管理。

    4. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,FDD6680A用于逆变器电路,以提高能源转换效率。其高耐压和高频率开关特性,使其能够在恶劣的环境下稳定运行。

    5. 汽车电子:FDD6680A也被广泛应用于汽车电子系统中,如电动助力转向、电动窗和电动座椅等设备中。其高可靠性和耐用性满足了汽车应用的严格要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD6680A的导通电阻非常低,典型值为0.008Ω。这使得它在导通状态下的功率损耗较小,有效提高了系统的效率。

    - 高电流处理能力:FDD6680A能处理高达76A的连续漏极电流,使其适用于需要大电流的应用,如电机驱动和电源管理系统。

    - 高击穿电压:该器件的漏源击穿电压(VDS)为30V,适合用于需要中等电压的应用场合,提供了足够的电压裕量以保证系统安全运行。

    - 低栅极电荷(Qg):FDD6680A的总栅极电荷为20nC,这意味着在开关过程中所需的能量较少,从而减少了开关损耗,提高了开关速度。

    - 封装类型:FDD6680A采用了标准的DPAK封装,具有良好的热性能和机械稳定性,便于在各种电路板设计中使用。

    综上所述,FDD6680A的这些参数特点,使其在各种应用场景中都能表现出色,成为许多工程师在设计电源管理和驱动电路时的首选器件。通过优化其参数设置,FDD6680A能够在实际应用中提供高效、可靠的性能,满足现代电子设备对高性能和高可靠性的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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