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场效应MOS管FDD6676AS参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:90AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0057ΩVRDS(ON)ld通态电流:16AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD6676AS是一种功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于各种电子电路和设备中。以下是其详细的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDD6676AS常用于开关电源中,主要是因为其具有低导通电阻和高开关速度的特点。这使得它能够高效地管理能量传输,减少能量损耗,提高电源效率。

    2. 电机驱动:在直流电机驱动电路中,FDD6676AS也有广泛的应用。其快速开关能力和高功率处理能力,使其能够有效控制电机的启动、停止和速度调节,从而提升系统的响应速度和精度。

    3. DC-DC转换器:FDD6676AS在DC-DC转换器中的应用非常普遍,尤其是降压(Buck)和升压(Boost)转换器。其低导通电阻和高效能特性,能够在较高频率下稳定运行,从而实现高效率的电压转换。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器系统中,FDD6676AS用于功率转换和管理。其高效率和可靠性,使其在处理太阳能板产生的直流电并将其转换为交流电的过程中,表现出色。

    5. 电池管理系统:FDD6676AS在电池管理系统中的应用也非常重要,尤其是在电动汽车和储能系统中。其快速响应和高功率处理能力,有助于电池的充放电管理,延长电池寿命,并提高系统的安全性和可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDD6676AS具有极低的导通电阻(RDS(on)),这意味着在电流通过时,其能量损耗非常小。具体来说,其典型导通电阻值为8.6mΩ,这大大降低了功耗,提高了整体电路的效率。

    - 高开关速度:FDD6676AS具有高开关速度,这使得它在高频率应用中能够稳定运行。其典型的栅极电荷(Qg)为35nC,使得其能够快速切换,有效减少开关损耗。

    - 高功率处理能力:FDD6676AS能够处理高达40V的电压和50A的电流,这使其在高功率应用中表现出色。其出色的热性能和高可靠性,使其能够在苛刻的工作环境下持续稳定运行。

    - 优异的热性能:FDD6676AS的热阻(RθJC)非常低,为1.6°C/W,这意味着它能够高效地散热,防止因温度过高而导致的性能下降或损坏。这对于长时间工作在高功率条件下的应用尤为重要。

    - 保护功能:FDD6676AS还集成了多种保护功能,如过温保护和过流保护。这些功能提高了其在各种应用场景下的安全性和可靠性,确保电路在异常条件下能够正常运行而不受损。

    综上所述,FDD6676AS作为一种高性能功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高开关速度、高功率处理能力和优异的热性能,在各种电力电子应用中表现出色。其广泛的应用场景和出色的参数特点,使其成为许多电子工程师的首选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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