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场效应MOS管FDD6670AL参数

PD最大耗散功率:83WID最大漏源电流:84AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.005ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD6670AL是一种常用的场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDD6670AL常用于电源管理系统中,特别是在DC-DC转换器中。它可以高效地控制电流和电压转换,确保电源的稳定输出。

    2. 电动工具:在电动工具的驱动电路中,FDD6670AL发挥着关键作用。它能够处理高电流和高电压,适应电动工具的苛刻工作环境,提供可靠的功率传输。

    3. 家用电器:FDD6670AL被广泛应用于各种家用电器中,如洗衣机、冰箱和空调等。这些设备的电机控制电路需要高效的MOSFET来提高工作效率并降低能耗。

    4. 汽车电子:在汽车电子领域,FDD6670AL被用于各种控制模块中,包括发动机控制单元、车载充电器以及电动车的电池管理系统。其高可靠性和高效能使其成为汽车电子应用的理想选择。

    5. 工业控制:FDD6670AL也常用于工业自动化设备中,如可编程逻辑控制器(PLC)和工业机器人。其高耐用性和高效性能可以满足工业应用的严格要求。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:FDD6670AL的典型导通电阻(RDS(on))非常低,仅为9.5毫欧。这意味着在电流通过时产生的热量较少,提高了整体电路的效率。

    2. 高击穿电压:FDD6670AL的最大漏源击穿电压为30V,使其能够在较高电压下稳定工作,适用于多种高电压应用场合。

    3. 高电流能力:FDD6670AL具有较高的最大漏极电流(ID),达到了60A。这使其能够在需要处理大电流的应用中发挥重要作用。

    4. 快速开关特性:FDD6670AL具有出色的开关速度,这对于需要快速响应的电路非常重要。其开关时间短,有助于提高系统的工作频率和效率。

    5. 封装形式:FDD6670AL采用SO-8封装,这种封装形式有利于散热和减小电路板面积,适合紧凑型电子产品的设计需求。

    综上所述,FDD6670AL以其卓越的性能和广泛的应用场景,成为许多电子工程师的首选。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制领域,它都表现出色,为各种电路提供了可靠且高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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