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场效应MOS管FDD6630A参数

PD最大耗散功率:28WID最大漏源电流:21AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.035ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD6630A是一款广泛应用于电子设备和电路设计中的N沟道功率MOSFET。它因其优异的性能和可靠的质量,在各种应用场景中表现出色。以下将详细介绍FDD6630A的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDD6630A在开关电源中广泛应用,其低导通电阻和快速开关能力使其能够有效地提高转换效率并降低功耗。这种应用场景包括计算机电源、通信设备电源和工业控制电源等。

    2. 直流-直流转换器:在DC-DC转换器中,FDD6630A的高频开关特性和低栅极电荷使其成为理想选择。它在笔记本电脑、平板电脑和移动设备中广泛使用,能够实现稳定的电压转换和高效的能量传输。

    3. 电机驱动:FDD6630A在电机驱动电路中也有广泛应用,特别是在需要精确控制和高效率的场合。它可以用于电动工具、电动汽车以及各种工业自动化设备中,提供强大的驱动力和可靠的性能。

    4. 负载开关:作为负载开关,FDD6630A能够高效地控制电流的通断,适用于各种消费电子产品,如智能手机、数码相机和家用电器等。这类应用要求MOSFET具备低导通电阻和高可靠性,以确保设备的长时间稳定运行。

    5. 不间断电源:在UPS系统中,FDD6630A被用于电池管理和功率调节,保证系统在断电时能够提供稳定的电力支持。它的高可靠性和高效能是保证UPS系统性能的关键。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD6630A的导通电阻非常低,典型值为12毫欧(mΩ),这意味着它在导通状态下的电压降很小,从而降低了功耗,提高了整体效率。这一特点在高电流应用中尤为重要。

    - 高电流处理能力:FDD6630A能够处理高达20安培(A)的连续电流,这使其适用于高功率应用。此外,它的脉冲电流能力更高,能够应对短时间的电流冲击,保证电路的稳定性和可靠性。

    - 快速开关速度:FDD6630A具有快速的开关速度,这得益于其低栅极电荷(Qg),典型值为25纳库伦(nC)。快速开关速度在高频应用中尤为重要,如开关电源和DC-DC转换器,能够有效减少开关损耗。

    - 高击穿电压:FDD6630A的击穿电压为30伏(V),这使其在各种电压环境下都能稳定工作。高击穿电压确保了其在高电压应用中的安全性和可靠性,防止意外击穿损坏。

    - 热性能优越:FDD6630A具有良好的热性能,其结到环境的热阻(RθJA)为62.5°C/W,结到壳的热阻(RθJC)为1.2°C/W。这些参数表明它在高功率应用中能够有效散热,防止过热损坏,提高器件寿命。

    综上所述,FDD6630A凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,成为电子工程师在设计高效、可靠电路时的首选器件。其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度、高击穿电压和优越的热性能,使得FDD6630A在各种电子设备中得以广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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