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场效应MOS管FDD5N60NZ参数

PD最大耗散功率:83WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD5N60NZ是一款广泛应用于各种电子设备中的场效应晶体管(MOSFET),其应用场景和参数特点如下详细描述。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDD5N60NZ常用于开关电源和电源适配器中。这些系统需要高效能和高可靠性的晶体管来进行快速开关操作,以提高整体的电源转换效率。

    2. 电动机控制:在各种电动机驱动系统中,FDD5N60NZ被用来控制直流电动机和无刷电动机。其高耐压和低导通电阻特性,使其非常适合用于需要精确控制的电动机应用。

    3. 逆变器和转换器:FDD5N60NZ广泛用于太阳能逆变器和DC-DC转换器中。其高耐压和快速开关速度使其能够有效地处理从直流到交流的转换以及不同电压水平之间的转换。

    4. 消费电子产品:在电视、电脑和其他消费电子产品的电源电路中,FDD5N60NZ被用来确保设备稳定运行,并提高能源效率。

    5. 工业控制系统:在各种工业自动化设备和控制系统中,FDD5N60NZ用作开关元件,以实现高效的电能管理和控制。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:FDD5N60NZ具有高达600V的漏源耐压(Vds),这使其能够在高压环境中稳定工作,是处理高压应用的理想选择。

    - 导通电阻:其导通电阻(Rds(on))较低,在10V栅极电压下典型值为1.9Ω。这一特性确保了在导通状态下的能量损耗最小化,提高了整体电路的效率。

    - 最大漏极电流:FDD5N60NZ的最大连续漏极电流(Id)为5A,这意味着它可以处理相对较高的电流负载,适用于需要处理大电流的应用场景。

    - 快速开关特性:其开关速度非常快,能够在数纳秒内完成开关动作。这对于需要快速响应和高频操作的电路来说是一个显著的优势。

    - 热特性:FDD5N60NZ具有良好的热稳定性和热管理能力,最大结温(Tj)可达150摄氏度。这使得它在高温环境下仍能保持可靠的性能表现。

    通过以上详细描述,可以看出FDD5N60NZ在多个应用领域中都有其独特的优势,其卓越的参数特性使其成为各种电子和电气设备中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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