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场效应MOS管FDD5N50NZF参数

PD最大耗散功率:62.5WID最大漏源电流:3.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.75ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.85AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD5N50NZF是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。由于其高电压和电流处理能力,它常见于多个应用场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FDD5N50NZF被用作主开关元件。其低导通电阻和快速开关速度使其能够有效地减少开关损耗,提高电源效率。

    2. 电动工具:在电动工具中,FDD5N50NZF可以用于电机驱动电路。其高电流处理能力和耐高压特性能够保证电动工具在高负载条件下的稳定运行。

    3. 光伏逆变器:FDD5N50NZF在光伏逆变器中用于直流到交流的转换过程。其高效率和低热损耗特性有助于提高整体系统的性能。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,FDD5N50NZF用于控制充电和放电过程。其高可靠性和耐用性确保了电池的长寿命和安全性。

    5. 家用电器:在家用电器中,例如洗衣机、冰箱和空调,FDD5N50NZF被用作电源控制元件。其高效能和稳定性能提高了家电的工作效率和使用寿命。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vdss): 500V。这使得FDD5N50NZF能够在高电压环境下稳定工作,适合应用于需要高电压操作的设备中。

    - 导通电阻(Rds(on)):最大值为1.6Ω。低导通电阻意味着FDD5N50NZF在工作时产生的热量较少,效率较高,有助于减少能量损耗。

    - 漏源电流(Id):最大为5A。这表明FDD5N50NZF能够处理高达5安培的电流,使其适用于需要大电流的应用场景。

    - 栅极阈值电压(Vgs(th)):2至4V。较低的栅极阈值电压使得FDD5N50NZF能够在较低的控制电压下启动,适应性更强。

    - 封装类型:TO-220F。TO-220F封装提供了良好的散热性能和机械强度,便于安装和散热管理。

    综上所述,FDD5N50NZF通过其卓越的性能参数和广泛的应用场景,展示了其在功率电子领域的重要性。其高电压和高电流处理能力使其在各种高要求的应用中均表现出色。无论是工业设备还是家用电器,FDD5N50NZF都能提供可靠和高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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