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场效应MOS管FDD5N50NZ参数

PD最大耗散功率:62WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD5N50NZ是一种常见的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍FDD5N50NZ的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDD5N50NZ在电源管理领域表现出色,尤其适用于开关电源和直流-直流转换器。在这些应用中,MOSFET的开关速度和低导通电阻可以显著提高系统的效率和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机驱动控制中,FDD5N50NZ用于驱动各类电机,特别是无刷直流电机。其高效能和高耐压特性使其能够承受电机启动和运行过程中产生的高压和高电流。

    3. 消费电子:在消费电子领域,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,FDD5N50NZ常被用于电源管理和电池保护电路中。这些应用需要高效的功率转换和电流控制,而FDD5N50NZ的性能恰好满足这些要求。

    4. 工业控制:FDD5N50NZ在工业控制系统中也有广泛应用,包括可编程逻辑控制器(PLC)、工业自动化设备和电力系统。其高可靠性和耐用性使其适用于要求苛刻的工业环境。

    5. 光伏逆变器:在光伏系统中,FDD5N50NZ常用于光伏逆变器中,负责将直流电转换为交流电。其高效能和高耐压特性在提高系统效率和稳定性方面起到了关键作用。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:FDD5N50NZ具有500V的漏源击穿电压,这使其能够在高压环境中安全运行,适用于需要高耐压的应用场景,如工业电源和电机驱动控制。

    - 低导通电阻:FDD5N50NZ的导通电阻(RDS(on))较低,典型值为1.7Ω。低导通电阻意味着在开通过程中损耗较小,能显著提高系统的效率。

    - 高开关速度:FDD5N50NZ具有快速的开关速度,这对于需要高频开关的电源管理和转换应用至关重要。快速开关能够减少切换损耗,提高整体系统性能。

    - 大电流处理能力:FDD5N50NZ的连续漏极电流为5A,能处理较大的电流。这使其适用于大功率应用,如电机驱动和电源转换。

    - 热特性:FDD5N50NZ具有良好的热性能,其结到环境的热阻为62.5°C/W。这意味着它能够有效散热,确保在高功率条件下稳定运行,延长器件寿命。

    综上所述,FDD5N50NZ作为一种高性能N沟道MOSFET,凭借其优异的电气参数和广泛的应用场景,在各种电子和工业领域发挥着重要作用。通过了解其应用场景和参数特点,我们可以更好地发挥其优势,实现高效、可靠的电路设计。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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