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场效应MOS管FDD5N50参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD5N50是一款N沟道功率MOSFET,常用于各种电力电子设备中,特别是需要高效率和高可靠性的场景。本文将详细介绍FDD5N50的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FDD5N50广泛应用于开关电源中。由于其具有低导通电阻和快速开关特性,使其非常适合高频开关电路。无论是AC-DC还是DC-DC转换器,FDD5N50都能提供高效的功率转换,减少能量损耗,提高整体系统的效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FDD5N50常被用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压和大电流处理能力使其能承受电机启动时的大电流冲击,确保电机的平稳运行。

    3. 照明控制:现代LED照明系统中,FDD5N50被用作LED驱动电路的开关器件。其低导通电阻有助于降低功率损耗,提升LED驱动电路的效率。此外,FDD5N50的高可靠性保证了照明系统的长寿命和稳定性。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FDD5N50用于逆变器和稳压器电路中。其优越的开关性能和高效的能量转换能力能够在电源转换过程中提供稳定的电流输出,确保UPS系统在电源故障时能够快速响应并持续供电。

    5. 光伏逆变器:光伏逆变器需要高效的功率转换器件,FDD5N50在其中扮演关键角色。其低导通损耗和高开关速度有助于提高光伏系统的整体效率,从而最大化太阳能的利用率。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:FDD5N50的最大漏源电压(V_DS)为500V,能够承受高压环境,适用于需要高耐压能力的应用场景。

    - 导通电阻:其典型导通电阻(R_DS(on))为1.5Ω,较低的导通电阻可以减少导通损耗,提高系统的效率和可靠性。

    - 电流处理能力:FDD5N50的最大连续漏极电流(I_D)为5A,具备较大的电流处理能力,适合于大功率应用场景。

    - 快速开关特性:由于其快速的开关速度,FDD5N50在高频应用中表现出色,能够减少开关损耗,提高电路的效率和响应速度。

    - 封装形式:FDD5N50采用了DPAK封装,具有良好的热性能和机械强度,能够在较恶劣的工作环境中提供稳定的性能。

    通过上述对FDD5N50的应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出FDD5N50在电力电子领域具有广泛的应用价值。其高耐压、低导通电阻和快速开关特性使其成为众多电力转换和控制电路中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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