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场效应MOS管FDD5670参数

PD最大耗散功率:83WID最大漏源电流:52AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.015ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD5670是一种非常受欢迎的N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDD5670常用于直流-直流转换器、开关电源和电池管理系统中。它的低导通电阻和高效能使其成为这些应用中的理想选择,可以有效降低能量损耗,提高系统效率。

    2. 电动工具:在电动工具的电机控制电路中,FDD5670能够提供高电流和低损耗的开关性能,确保电动工具的高效能和可靠性。

    3. 家用电器:例如冰箱、洗衣机和微波炉等家用电器的电源控制电路中,也常见到FDD5670的身影。其高可靠性和耐用性使其非常适合这些长时间运行的设备。

    4. 汽车电子:在汽车的各种控制系统中,如发动机管理、照明系统和车身控制模块中,FDD5670提供了高效和稳定的电流控制能力,确保车辆的安全性和稳定性。

    5. 通信设备:在路由器、交换机等通信设备中,FDD5670被用于信号放大和电源管理,帮助设备实现高效和稳定的运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDD5670的R_DS(on)值非常低,通常在0.014Ω左右。这意味着在工作过程中,能量损耗极低,能够提高整个电路的效率。

    - 高电流处理能力:FDD5670具备高达30A的连续漏极电流处理能力,适用于需要高电流的应用场景,如电动工具和电源管理系统。

    - 高击穿电压:其漏源极击穿电压V_DS高达60V,能够在较高电压环境下稳定工作,适用于需要高压控制的电路设计。

    - 快速开关性能:FDD5670具有快速的开关速度,能够在短时间内实现电路的开启和关闭。这一特性在高频开关电源和脉冲电路中尤为重要。

    - 高结温度:FDD5670的最大结温度可达175°C,能够在高温环境下稳定工作,适用于环境温度较高的工业和汽车电子应用。

    总的来说,FDD5670以其出色的性能和广泛的应用场景,在电子元器件市场中占据了重要位置。无论是在电源管理、汽车电子还是家用电器领域,FDD5670都展示了其不可替代的优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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