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场效应MOS管FDB8870参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:160AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0039ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.2~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB8870是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDB8870常用于各种电源管理电路,包括DC-DC转换器、AC-DC适配器和开关电源。其低导通电阻和高效率使其成为这些应用的理想选择,能够有效减少功耗和热量产生。

    2. 电动工具:在电动工具中,FDB8870被广泛用于电机控制电路。其高电流处理能力和快速开关特性,确保了电动工具的高效运行和长寿命。

    3. 电动汽车:电动汽车的电池管理系统(BMS)和电机控制器也经常采用FDB8870。其高可靠性和低导通损耗,有助于提升电动汽车的整体性能和续航能力。

    4. 家用电器:在空调、冰箱等家用电器中,FDB8870被用于压缩机和电机驱动电路。其良好的耐高压性能和低噪声特性,使其在家电领域广受欢迎。

    5. 工业自动化:FDB8870适用于各种工业自动化设备,如PLC、伺服驱动器和工业机器人。其稳定的开关性能和高效的电流传输,保证了工业设备的精确控制和可靠运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDB8870的导通电阻(Rds(on))极低,仅为0.0037欧姆。这一特点使得它在导通状态下的损耗非常小,从而提高了整体系统的效率。

    - 高电流处理能力:FDB8870能够处理高达80安培的连续电流,这使其适用于需要高电流传输的应用场景,如电机控制和电源管理。

    - 高击穿电压:FDB8870的最大漏源击穿电压(Vds)为30伏。这一参数确保了它在各种高压环境下的安全运行,避免了因电压过高而导致的元件损坏。

    - 快速开关特性:FDB8870具有出色的开关速度,其开关时间(包括上升时间和下降时间)非常短。这一特点使其在高频应用中能够快速响应,有效减少开关损耗。

    - 高可靠性:FDB8870经过严格的质量控制和测试,具备较高的可靠性和耐用性。这使得它在长时间运行中仍能保持稳定的性能,减少了维护和更换的频率。

    综上所述,FDB8870凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关特性和高可靠性,成为了多种应用场景中的理想选择。这些特点使其在电源管理、电动工具、电动汽车、家用电器和工业自动化等领域得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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