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场效应MOS管FDB7030L参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:100AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.007ΩVRDS(ON)ld通态电流:50AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB7030L是一款性能卓越的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),其应用场景广泛。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDB7030L由于其低导通电阻和高效能量转换效率,非常适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等电源管理应用中,能够有效提高系统的整体效率。

    2. 汽车电子:汽车电子系统中对功率器件的要求极高,FDB7030L凭借其高可靠性和耐高温特性,广泛应用于汽车的电控单元(ECU)、电动助力转向系统(EPS)以及其他功率管理模块,确保汽车电子系统的稳定运行。

    3. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,FDB7030L常用于电机驱动、机器人控制和可编程逻辑控制器(PLC)等场景。其高效能和耐久性可以满足工业环境的苛刻要求,提升系统的整体性能。

    4. 消费电子:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中,FDB7030L被广泛应用于充电管理和电池保护电路中。它能够提供高效的电流传输和稳定的性能,延长设备的使用寿命。

    5. 新能源设备:在太阳能逆变器和风能发电设备中,FDB7030L凭借其出色的功率转换效率和耐高压特性,能够提高新能源设备的能量利用率,减少损耗,推动可再生能源的发展。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDB7030L的典型导通电阻仅为0.003Ω,这意味着在开通过程中能量损失极小,能够有效提升系统的效率,特别适合高效能量传输要求的应用。

    - 高击穿电压:其击穿电压(VDS)高达75V,FDB7030L可以在较高电压下稳定工作,确保在苛刻环境中的可靠性和安全性。

    - 高电流承载能力:FDB7030L最大连续漏极电流(ID)可达120A,适合大电流传输应用,确保在高负载条件下的稳定性和性能。

    - 出色的热性能:该器件的结温范围宽广(-55°C到+175°C),并且具有优异的热阻特性(RθJC为0.3°C/W),FDB7030L在高温工作环境下依然能够保持稳定,适合需要长时间高效工作的场景。

    - 快速开关特性:FDB7030L具有极快的开关速度,其开关损耗极低,能够在高频率开关应用中表现出色,适用于需要快速响应的电路中,如高频DC-DC转换器和逆变器等。

    综上所述,FDB7030L凭借其出色的性能参数和广泛的应用场景,成为各类电子和电力系统中的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制等领域,FDB7030L都能提供可靠的性能和高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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