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场效应MOS管FDB6670AL参数

PD最大耗散功率:68WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0065ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB6670AL是一款高效的MOSFET(场效应晶体管),在现代电子设备中有着广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FDB6670AL广泛用于开关电源中,作为主要的功率转换元件。它的低导通电阻和快速开关速度使得电源转换更加高效,减少了能量损失,提高了整体的电源效率。

    2. 电机驱动器:在电机控制和驱动电路中,FDB6670AL因其高效率和可靠性而被广泛采用。它能承受高电流和高电压,适用于各种电机的驱动,包括直流电机和无刷直流电机。

    3. 太阳能逆变器:在可再生能源系统中,尤其是太阳能发电系统中,FDB6670AL被用于逆变器中,将直流电转换为交流电。其高效的开关特性有助于提高太阳能系统的整体效率。

    4. 电池管理系统(BMS):FDB6670AL在电池管理系统中用于电池充放电的控制。它的低导通电阻有助于减少能量损耗,提高电池的使用效率和寿命。

    5. 电动汽车(EV)控制系统:在电动汽车的电力电子控制单元中,FDB6670AL作为重要的功率开关器件,帮助实现高效的电能转换和管理,提升车辆的续航能力和性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDB6670AL的导通电阻非常低,这意味着在开关状态下,电流通过时的损耗较小,能够显著提高电路的整体效率。

    - 高额定电流和电压:FDB6670AL能够承受较高的电流和电压,这使得它在需要高功率处理能力的应用中非常适合。例如,它的漏源电压(VDS)可以高达100V,连续漏源电流(ID)可达到60A。

    - 快速开关速度:FDB6670AL具有快速的开关速度,能够在高频率下工作。这种特性使其在开关电源和高频率转换应用中表现尤为出色,减少了开关损耗和发热问题。

    - 低栅极电荷(Qg):栅极电荷是影响MOSFET开关速度的关键参数。FDB6670AL的低栅极电荷使其在驱动时所需的能量更少,进一步提高了开关效率和响应速度。

    - 可靠性和热管理:FDB6670AL在设计上注重热管理,具备良好的热阻(RθJC)特性,使其能够在高温环境下稳定工作。此外,它还具有较高的击穿电压和耐冲击电流能力,确保在苛刻环境下的可靠性。

    综上所述,FDB6670AL凭借其优异的电气性能和多功能应用场景,成为现代电子设备中不可或缺的关键元件。无论是在工业控制、消费电子还是新能源领域,FDB6670AL都展现出了其卓越的技术优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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