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场效应MOS管FDB5800参数

PD最大耗散功率:242WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.006ΩVRDS(ON)ld通态电流:80AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB5800是一种高效能的场效应MOS管,广泛应用于各种电子设备和电力转换系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDB5800在开关电源中作为主开关元件,利用其低导通电阻和快速开关速度,能够提高电源的转换效率,减少功率损耗。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,FDB5800可以作为高频率开关器件,用于控制电机的启动、停止和速度调节,确保电机平稳高效地运行。

    3. 太阳能逆变器:在光伏发电系统中,FDB5800用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电。其高效能和高可靠性使其成为逆变器中的关键组件。

    4. 电动汽车充电桩:电动汽车的充电桩需要高效的电力转换和控制,FDB5800在此类设备中扮演重要角色,确保充电过程高效、安全。

    5. 消费电子:如笔记本电脑、平板电脑等设备的电源管理模块中,FDB5800用于电压调节和电源控制,提高设备的续航时间和性能表现。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDB5800的导通电阻仅为2.8毫欧姆(典型值),这意味着在相同的电流条件下,其导通损耗非常低,能够有效减少发热量和功率损耗。

    - 高电流处理能力:FDB5800能够处理高达80安培的连续漏极电流,适合用于高功率应用中,确保系统的稳定运行。

    - 高击穿电压:FDB5800的击穿电压为30伏特,能够在较高电压下稳定工作,适应多种不同的应用环境。

    - 快速开关速度:FDB5800具有快速的开关特性,其开关速度能够达到纳秒级,适合高频率的开关应用,提高整体系统的效率。

    - 低栅极电荷:FDB5800的栅极电荷为46纳库伦(典型值),这使得其驱动功率需求低,适合用于驱动电路的低功耗设计中。

    综上所述,FDB5800以其优异的性能和广泛的应用场景,成为现代电子设备和电力转换系统中的重要元件。无论是在开关电源、电机驱动、太阳能逆变器,还是在电动汽车充电桩和消费电子设备中,FDB5800都展示出其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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