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场效应MOS管FDB5690参数

PD最大耗散功率:58WID最大漏源电流:32AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.027ΩVRDS(ON)ld通态电流:16AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB5690是一种用于电力电子和开关电源系统的场效应管(MOSFET)。这种型号的场效应管在多个应用场景中表现出色,具备一系列独特的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统中,FDB5690用于控制电流的流动,确保电池的高效充放电和保护。

    2. 太阳能逆变器:在太阳能系统中,FDB5690被用于逆变器中,以提高能量转换效率,减少功率损耗。

    3. 电源管理模块:在计算机和通信设备中,FDB5690可用于电源管理模块,帮助实现高效的电源分配和稳定运行。

    4. 工业自动化设备:FDB5690在工业自动化设备中应用广泛,特别是在电机控制和功率转换系统中,能够提高系统的可靠性和效率。

    5. 消费电子:在高性能消费电子产品中,FDB5690可用于电源电路,提升设备的整体性能和能效。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDB5690具有极低的导通电阻,这意味着在相同电流条件下,功率损耗更低,有助于提高系统的整体效率。

    - 高开关速度:由于其设计优化,FDB5690具备快速的开关速度,能够在高频应用中有效减少开关损耗。

    - 高耐压能力:FDB5690拥有较高的击穿电压,能够在高电压环境中可靠工作,适用于各种高压应用场景。

    - 高可靠性和耐用性:FDB5690采用了先进的制造工艺,确保了其在各种苛刻条件下的稳定性和长寿命。

    - 热管理性能优越:FDB5690的设计使其具备出色的热管理能力,在高功率应用中能够有效散热,防止过热问题的发生。

    综上所述,FDB5690作为一种高性能的场效应管,广泛应用于电动汽车、太阳能逆变器、电源管理模块、工业自动化设备和消费电子等多个领域。其低导通电阻、高开关速度、高耐压能力、高可靠性以及优越的热管理性能,使得FDB5690成为众多应用场景中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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