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场效应MOS管FDB44N25参数

PD最大耗散功率:307WID最大漏源电流:44AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.0695ΩVRDS(ON)ld通态电流:22AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB44N25是一种常见的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDB44N25常用于电源管理系统中,特别是DC-DC转换器和AC-DC电源中。它在这些系统中可以实现高效的电能转换和传输,提高整体系统的效率和稳定性。

    2. 电机驱动:在电动汽车、无人机等需要精确控制电机的设备中,FDB44N25起到了至关重要的作用。它能够快速响应控制信号,实现对电机转速和方向的精准控制。

    3. 消费电子产品:各类消费电子产品,如智能手机、笔记本电脑、平板电脑等,都会使用到FDB44N25。它可以帮助这些设备实现高效的电能管理,从而延长电池寿命,提升用户体验。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,FDB44N25被广泛应用于各种控制电路和驱动电路中。这些设备需要稳定可靠的功率开关元件,以确保长时间连续工作和高负载条件下的稳定性。

    5. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,FDB44N25用于逆变器部分,将直流电转换为交流电。其高效的开关性能能够最大限度地利用太阳能,提高发电效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDB44N25具有极低的导通电阻(典型值为0.044欧姆),这使得它在工作过程中产生的损耗很低,从而提高了系统的整体效率。

    - 高电流承载能力:该型号的MOSFET具有高达44安培的连续漏极电流能力,这使得它适用于需要大电流传输的应用场景,如电动汽车和大功率电源。

    - 高击穿电压:FDB44N25的漏极-源极击穿电压为250伏特,使其适用于高电压环境中的应用,如工业电源和太阳能逆变器。

    - 快速开关速度:FDB44N25具有快速的开关速度,能够在几纳秒内完成开关操作。这对于需要快速响应的电路,如开关电源和电机驱动电路,是非常关键的性能。

    - 热性能优异:FDB44N25具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,并且其封装设计有助于散热。这对于需要长时间运行的设备非常重要,如服务器电源和通信设备。

    通过以上分析可以看出,FDB44N25作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力、高击穿电压、快速开关速度以及优异的热性能,被广泛应用于各种电子设备和系统中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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