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场效应MOS管FDB3860参数

PD最大耗散功率:71WID最大漏源电流:30AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.037ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB3860是一种高性能的功率MOSFET(场效应晶体管),在各种电子设备和应用中发挥着关键作用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDB3860常用于开关电源和直流-直流转换器中。这些设备需要高效率和低导通电阻的器件,以确保最小的能量损耗和高效的电能转换。由于FDB3860具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,因此非常适合这些应用。

    2. 电动工具:在电动工具中,功率MOSFET必须能够处理高电流和高电压,同时保持高效的能量传输。FDB3860的高电流处理能力和低导通电阻,使其成为电动工具中的理想选择,能够提供强大的驱动力和可靠性。

    3. 汽车电子:汽车电子系统包括电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统、马达驱动和其他电源控制模块。FDB3860由于其高效能和可靠性,广泛应用于这些系统中,确保车辆的高性能和安全性。

    4. 工业控制:在工业控制系统中,稳定性和效率是关键因素。FDB3860被用于各种工业驱动电路、马达控制和自动化系统中,确保高效的能量传输和可靠的系统运行。

    5. 消费电子:消费电子产品如笔记本电脑、智能手机和平板电脑等,需要高效的电源管理解决方案。FDB3860在这些设备的电源管理模块中应用广泛,提供高效的能量转换和低热量产生,延长电池寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on):FDB3860具有非常低的导通电阻,通常在几毫欧范围内。这一特点使得它在高电流应用中具有较低的能量损耗,从而提高了整体效率。

    - 高电流处理能力:FDB3860能够处理高达数十安培的电流,这使其非常适合高功率应用,如电动工具和汽车电子等。

    - 快速开关速度:由于其快速开关特性,FDB3860能够在极短时间内完成开关动作。这种特性在需要高频操作的应用中尤为重要,如开关电源和DC-DC转换器。

    - 高击穿电压:FDB3860的击穿电压通常在数十至上百伏之间,使其能够在高电压环境中稳定工作,适用于电源管理和工业控制等领域。

    - 热性能优越:FDB3860设计上具备良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,并且具有较好的散热能力。这使得它在需要高可靠性和长时间工作的应用中表现出色。

    综上所述,FDB3860是一款性能卓越的功率MOSFET,广泛应用于电源管理、电动工具、汽车电子、工业控制和消费电子等领域。其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度、高击穿电压和优越的热性能,使其成为这些应用中不可或缺的重要器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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