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场效应MOS管FDB3632参数

PD最大耗散功率:310WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.016ΩVRDS(ON)ld通态电流:61AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB3632是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),在电子电路中有广泛的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备: FDB3632 在通信设备中用于功率放大和开关控制。例如,在基站设备中,它可以作为射频功率放大器的开关。

    2. 电动汽车: 在电动汽车的电动驱动系统中,FDB3632 被用作电机控制器的功率开关,控制电动机的启停和转向。

    3. 工业控制: 在工业控制和自动化系统中,FDB3632 用于开关电源单元和逆变器,提供可靠的功率控制。

    4. 电源适配器: 在电源适配器和充电器中,FDB3632 作为开关管,用于电源转换和充电管理。

    5. 汽车电子: 在汽车电子系统中,FDB3632 用于控制汽车的电动座椅、电动车窗等功率控制场景。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)): FDB3632 具有低导通电阻,能够在开启状态下实现较低的功率损耗,提高效率。

    2. 高耐压能力: 该器件具有高耐压能力,适用于各种功率要求较高的应用场景,确保系统稳定性和可靠性。

    3. 快速开关速度: FDB3632 具有快速的开关速度,可以实现快速的电源开关和电压调节,提高系统响应速度。

    4. 热特性优良: 通过优化的散热设计和材料选择,FDB3632 在高负载工作时能够有效散热,保持温度在安全范围内。

    5. 紧凑型封装: FDB3632 采用紧凑型封装,如TO-263,SOT-223等,占用空间小,适合于高密度电路板设计。

    在以上应用场景和参数特点中,FDB3632 扮演着关键的角色,为各种功率电子系统提供了高效、稳定和可靠的功率控制解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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