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场效应MOS管FDB3502参数

PD最大耗散功率:41WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:75VRDS(ON)Ω内阻:0.047ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB3502是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDB3502常用于开关电源和DC-DC转换器。这些设备需要高效的电流控制和快速的开关速度,以提高系统的整体效率和可靠性。

    2. 电动汽车:在电动汽车的驱动系统中,FDB3502可以用于电机控制和电池管理系统。它们在高电流、高频率的操作环境中表现出色,能够满足电动汽车对效率和稳定性的高要求。

    3. 可再生能源系统:在太阳能和风能发电系统中,FDB3502用于逆变器和电池储能系统。其高效的能量转换能力有助于最大化能源的利用效率。

    4. 工业自动化设备:在各种工业自动化设备中,FDB3502用于控制电机和驱动各种机械设备。其高可靠性和耐用性使其成为工业应用的理想选择。

    5. 消费电子产品:FDB3502在笔记本电脑、智能手机等消费电子产品中,常用于电池保护电路和电源管理模块,确保设备在使用过程中的安全和稳定。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on)):FDB3502的导通电阻非常低,这意味着在相同电流下,电压降较小,从而减少了功率损耗,提升了能效。

    - 高击穿电压(Vds):FDB3502的击穿电压通常在30V以上,能够在高压环境下稳定工作,适用于需要高电压操作的电路。

    - 快速开关速度:FDB3502具有极快的开关速度,这对于需要频繁开关操作的电路非常重要。快速的开关速度可以减少开关损耗,提高电路效率。

    - 高电流处理能力:FDB3502能够处理高达数十安培的电流,适用于需要大电流传输的应用,如电动汽车和电源管理系统。

    - 低栅极电荷(Qg):FDB3502的栅极电荷较低,这意味着驱动它所需的能量较少,从而降低了驱动电路的功耗。

    综上所述,FDB3502以其低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度、高电流处理能力和低栅极电荷等优异参数特点,成为了电源管理系统、电动汽车、可再生能源系统、工业自动化设备和消费电子产品等众多领域的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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