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场效应MOS管FDB2710参数

PD最大耗散功率:260WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.0425ΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB2710是一款N沟道MOSFET功率场效应管,具有广泛的应用场景和一系列的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源供应器:FDB2710广泛应用于电源供应器中,特别是在开关电源中扮演着关键的角色。其高性能和可靠性使其成为电源管理领域的首选之一。

    2. 电机驱动:由于FDB2710具有低导通电阻和高电流承受能力,因此在电机驱动领域中应用广泛。它能够提供稳定的电流输出,并且具有较低的功耗,从而提高了电机的效率。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,FDB2710可用于驱动电动汽车的电池管理系统、马达控制和其他高功率应用。其耐高温、耐压的特性使其在严苛的汽车环境下表现出色。

    4. LED照明:LED照明系统需要高效的功率转换器来驱动LED灯。 FDB2710作为功率开关元件,在LED照明系统中能够提供高效、稳定的电流输出。

    5. 工业控制:在工业自动化领域,FDB2710可用于各种工业控制应用,如电机驱动、电源管理和自动化控制系统。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):FDB2710具有低导通电阻,能够降低功率损耗,提高效率,在高电流工作时仍然能够保持较低的温升。

    2. 高电流承受能力:这款MOSFET具有高电流承受能力,能够应对大电流负载,适用于需要高功率输出的应用场景。

    3. 低开启电压(VGS(th)):FDB2710的低开启电压确保其在逻辑控制电路中可以被可靠触发,从而提高系统的响应速度和稳定性。

    4. 耐压能力:该型号具有较高的耐压能力,能够承受较高的漏电流和电压冲击,保证在恶劣环境下的长期稳定工作。

    5. 封装形式:FDB2710采用TO-263-3(D2PAK)封装,具有良好的散热性能和易于安装的特点,适用于各种环境和安装条件。

    总的来说,FDB2710作为一款性能优越的功率MOSFET,在电源供应器、电机驱动、汽车电子、LED照明和工业控制等领域有着广泛的应用,并且具有低导通电阻、高电流承受能力、低开启电压和良好的耐压能力等一系列优秀的参数特点。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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