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场效应MOS管FDB2572参数

PD最大耗散功率:135WID最大漏源电流:29AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.054ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB2572是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于多种电子设备和系统中。本文将详细介绍FDB2572的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDB2572在电源管理系统中起着至关重要的作用,尤其是在DC-DC转换器中。其高效能和低导通电阻能够有效减少功率损耗,提高系统的整体效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块中,FDB2572能够提供高可靠性和耐久性,确保车辆在不同环境下的稳定运行。

    3. 消费电子产品:如笔记本电脑、智能手机和平板电脑等设备中,FDB2572可以用于电源调节和电池保护模块,提供稳定的电力供应和过热保护。

    4. 工业控制系统:在自动化设备和机器人控制系统中,FDB2572能够提供快速响应和高精度控制,满足复杂的工业应用需求。

    5. 太阳能和风能系统:FDB2572在可再生能源系统中的应用也非常广泛,特别是在太阳能逆变器和风力发电控制器中,其高效能有助于提高能量转换效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDB2572具有极低的导通电阻,这使得它在高电流应用中能够显著减少功率损耗,提高效率。例如,其典型的导通电阻仅为几毫欧姆,这在同类产品中具有显著优势。

    - 高击穿电压:FDB2572的击穿电压通常在60V至100V之间,适用于需要高耐压能力的应用场景,如电动汽车和工业控制系统。

    - 快速开关速度:由于其优化的栅极结构,FDB2572具有极快的开关速度,这在需要快速响应的应用中(如DC-DC转换器和电机驱动)显得尤为重要。

    - 高脉冲电流能力:FDB2572能够承受高达数十安培的脉冲电流,适用于需要处理瞬态大电流的应用,如电源管理和电池保护模块。

    - 低栅极电荷:低栅极电荷使FDB2572能够以较低的驱动功率实现快速开关,减少驱动电路的复杂性和功耗,适用于便携式电子设备和低功耗应用。

    综上所述,FDB2572凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为现代电子设备中不可或缺的元件。无论是在电源管理、消费电子还是工业控制领域,FDB2572都展示出了其独特的优势和高可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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