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场效应MOS管FDB2552参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:37AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.036ΩVRDS(ON)ld通态电流:16AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB2552是一款常见的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种电源和功率电子应用中。以下是它的应用场景和参数特点:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FDB2552可以用作主开关器件,控制电源的开关状态,实现高效的能量转换和稳定的输出电压。

    2. 电机驱动:作为电机驱动器件,FDB2552能够提供高效的电力传输和精准的电机控制,广泛应用于工业自动化和电动车辆等领域。

    3. 逆变器:在逆变器电路中,FDB2552可用于将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能发电系统、UPS等场合。

    4. 电源管理:用于各种电源管理电路中,如电源适配器、电池管理系统等,帮助实现电力的有效管理和控制。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):FDB2552具有低的导通电阻,能够减少功率损耗,提高系统效率,在高功率应用中表现出色。

    2. 高耐压能力(VDS):具有较高的耐压能力,可以在高电压环境下稳定工作,保证系统的可靠性和稳定性。

    3. 快速开关特性:具有快速的开关特性,响应速度快,能够实现快速的功率转换,有助于提高系统的动态性能。

    4. 热特性:良好的热特性设计,能够有效散热,降低温升,提高器件的可靠性和寿命。

    5. 封装形式:常见的封装形式有TO-220、TO-220F等,易于安装和布局,适用于不同的应用场景和设计需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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