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场效应MOS管FDB15N50参数

PD最大耗散功率:300WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.38ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB15N50是一款功率场效应晶体管,具有广泛的应用场景和特点。下面将详细介绍它的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDB15N50在开关电源中,可以作为主要的功率开关元件,用于控制电源的开关状态,实现高效的电能转换。

    2. 电机控制:在电动汽车、工业机械等领域,FDB15N50可以用于控制电机的启停和速度调节,具有较低的导通压降和较高的开关速度。

    3. 功率放大电路:在音频放大器、无线电频率调节器等设备中,FDB15N50可以作为功率放大器的关键部件,提供稳定可靠的功率放大功能。

    二、参数特点:

    1. 低导通压降:FDB15N50的导通压降较低,可以减少功率损耗,提高电路的效率。

    2. 高开关速度:FDB15N50具有快速的开关速度,能够实现快速的功率开关,提高系统的响应速度。

    3. 高温特性:FDB15N50在高温环境下依然能够稳定工作,具有良好的高温特性,适用于各种恶劣工作环境。

    4. 低漏电流:FDB15N50具有较低的漏电流,可以减少系统能耗,提高电路的整体效率。

    5. 可靠性高:FDB15N50的设计和制造经过严格的测试和验证,具有良好的可靠性和稳定性,能够长期稳定工作。

    综上所述,FDB15N50在电源管理、电机控制和功率放大电路等领域具有重要的应用价值,其低导通压降、高开关速度、高温特性、低漏电流和高可靠性等特点使其成为众多电子设备中不可或缺的关键元器件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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