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场效应MOS管FDB12N50TM参数

PD最大耗散功率:165WID最大漏源电流:11.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.65ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB12N50TM是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产的N沟道MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于各种电子和电气设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDB12N50TM常用于电源管理系统,尤其是在开关电源(SMPS)中。由于其高效率和低导通电阻,适合用于电源转换和电源调节等应用。在这些系统中,它可以作为开关元件,帮助提高整体的能效和稳定性。

    2. 电动机驱动:在电动机驱动应用中,FDB12N50TM凭借其高电流处理能力和耐高压特性,可以用作控制电动机运转的主要开关元件。这些电动机包括工业控制中的步进电机和伺服电机,以及家用电器中的小型电机。

    3. 逆变器:FDB12N50TM适用于逆变器应用,尤其是在光伏逆变器和风能逆变器中。它能够处理高电压和高电流,确保能量高效转换,并提供可靠的性能。

    4. 照明系统:在LED照明系统中,FDB12N50TM可以用作开关元件,调节电流以驱动LED灯工作。其高效率和低热耗散使其成为照明系统中的理想选择,能够延长LED灯具的寿命并提高系统的总体能效。

    5. 消费电子:许多消费电子产品,如电视、电脑和家用音响系统中,也会用到FDB12N50TM。它可以帮助这些设备实现更好的电源管理和控制,确保设备运行稳定,减少能耗。

    二、参数特点:

    - 耐高压:FDB12N50TM的漏源极最大电压(Vds)高达500V,使其能够在高电压应用中使用。这一特性使其在处理需要高电压操作的系统时,能够提供更高的安全性和稳定性。

    - 低导通电阻:FDB12N50TM具有低导通电阻(Rds(on)),典型值为0.33Ω。这意味着在导通状态下,晶体管内部的电阻较低,从而减少了功率损耗,提高了整体效率。这对于电源管理和高效能的应用场景尤为重要。

    - 高脉冲电流处理能力:FDB12N50TM能够处理高达48A的脉冲电流(Id),这使其适用于需要处理瞬时大电流的应用,如电动机驱动和开关电源。

    - 快速开关速度:FDB12N50TM具有快速的开关速度,能够在纳秒级的时间内实现开关动作。这对于需要高频率开关的应用,如逆变器和开关电源,是非常关键的参数,能够有效提高系统的响应速度和效率。

    - 热稳定性:FDB12N50TM的结温最高可达150°C,具有良好的热稳定性。它在高温工作环境中仍能保持稳定的性能,这对于长时间运行的工业设备和电源系统尤为重要。

    综上所述,FDB12N50TM凭借其高耐压、低导通电阻、高脉冲电流处理能力、快速开关速度和良好的热稳定性,成为各种电源管理、电动机驱动、逆变器、照明系统和消费电子中的重要元件。其广泛的应用和优异的性能使其在众多电子和电气设备中发挥着关键作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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