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场效应MOS管FDB12N50T参数

PD最大耗散功率:165WID最大漏源电流:11.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.652ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB12N50T是一款具有高性能和高可靠性的功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDB12N50T常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter),其高效的开关性能和低导通电阻使其在这些应用中表现优异。它能够在高频率下稳定工作,从而提高整个系统的效率和稳定性。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,FDB12N50T凭借其高电流承载能力和快速开关特性,能够实现高效的电机控制。这在电动车、工业自动化和机器人技术中尤为重要。

    3. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效的功率转换器件来将直流电转换为交流电。FDB12N50T凭借其高耐压特性和高效率,非常适合用于太阳能逆变器,帮助提高整体系统的能量转换效率。

    4. UPS系统:在不间断电源(UPS)系统中,FDB12N50T可以有效地管理电能转换和储存,确保在电源中断时提供持续的电力供应。其高可靠性和高效性能是UPS系统的理想选择。

    5. 音频放大器:FDB12N50T在高保真音频放大器中也有应用。其低失真和高线性度特性使其能够提供清晰、高质量的音频输出,满足高端音响设备的需求。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:FDB12N50T的漏源极耐压(Vds)高达500V,这使其适用于高压应用,如工业电源和大功率转换器。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为0.27Ω,这意味着在导通状态下的功率损耗非常低,从而提高了整个系统的效率。

    - 高脉冲电流承载能力:FDB12N50T能够承载高达48A的脉冲电流,这使其在需要处理高瞬态电流的应用中表现出色。

    - 快速开关速度:FDB12N50T具有快速的开关特性,其开关时间(t_on和t_off)分别为21ns和45ns,能够在高频操作中保持高效性能,适合高频转换应用。

    - 热稳定性好:FDB12N50T具备良好的热稳定性,其结温范围(Tj)为-55°C至175°C,使其能够在苛刻的工作环境中保持稳定的性能,适用于各种工业应用。

    综上所述,FDB12N50T凭借其高耐压、低导通电阻、高脉冲电流承载能力、快速开关速度和良好的热稳定性,成为了许多电力电子应用中的首选元件。这些特性使其在各种严苛的应用环境中表现出色,并且能够满足不同系统对高效能和高可靠性的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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