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场效应MOS管FDB075N15A参数

PD最大耗散功率:333WID最大漏源电流:130AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.0075ΩVRDS(ON)ld通态电流:100AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB075N15A是一款常见的功率场效应晶体管(MOSFET)型号,具有广泛的应用场景和参数特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDB075N15A常用于开关电源和直流-直流转换器中,以提供高效的电源转换和电压调节。

    2. 电机控制:作为电机驱动器的一部分,FDB075N15A可以用于控制直流电机或步进电机,提供高效的功率放大和电流控制。

    3. 照明系统:FDB075N15A可用于调光、开关和功率放大,以实现能效高、稳定可靠的照明效果。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:FDB075N15A具有低导通电阻,可实现低功耗和高效能的功率转换,有利于提高系统效率。

    2. 高承受电压:其设计使其能够承受较高的电压,适用于各种工业和消费电子设备的不同电源需求。

    3. 高开关速度:具有快速的开关特性,可实现快速的开关操作,有助于减少功率损耗和提高系统响应速度。

    4. 优良的温度特性:FDB075N15A在不同温度条件下均能提供稳定的性能,适用于各种环境和工作条件。

    5. 可靠性高:由于其优良的设计和制造工艺,FDB075N15A具有较高的可靠性和稳定性,适用于长期稳定运行的应用场景。

    总的来说,FDB075N15A是一款功能强大、性能稳定的功率MOSFET,适用于各种电源管理、电机控制和照明系统等应用,为电子设备的高效能运行提供可靠支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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