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场效应MOS管FDB047N10参数

PD最大耗散功率:375WID最大漏源电流:164AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.0047ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB047N10是一款广泛应用于多种电子设备和电力系统的场效应晶体管(MOSFET),它主要用于以下几种场景:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在各种电源管理系统中,FDB047N10可以用于高效的DC-DC转换器和AC-DC转换器。它的低导通电阻和高开关速度,使其能够有效地减少功率损耗,提高系统效率。

    2. 电动工具:许多电动工具需要高效、可靠的功率开关器件,FDB047N10凭借其优异的电气特性,成为电动工具控制电路中的理想选择。它能够提供足够的电流处理能力和快速的开关响应,从而提高工具的性能和耐用性。

    3. 汽车电子:在汽车电子领域,FDB047N10常用于电池管理系统和电机控制系统。它的高耐压和高可靠性特点,确保了在严苛环境下的稳定运行,有助于提升汽车电子系统的安全性和效率。

    4. 消费电子产品:许多消费电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,都需要高效的电源管理解决方案。FDB047N10凭借其出色的开关性能和低损耗,帮助这些设备延长电池寿命,并提供更好的用户体验。

    5. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,FDB047N10可用于各种驱动和控制电路。它的高电流处理能力和坚固的设计,能够满足工业环境的苛刻要求,确保系统的可靠性和稳定性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on)):FDB047N10具有极低的导通电阻,这意味着在工作过程中,它的功率损耗非常小,有助于提高系统的整体效率。具体来说,其最大导通电阻仅为4.7毫欧。

    - 高电流处理能力:FDB047N10的最大连续漏极电流为120安培,这使得它能够处理较大的电流负载,非常适合需要高功率处理能力的应用场景。

    - 高耐压性能:FDB047N10的最大漏源极电压为100伏特,这使得它在高压应用中能够保持稳定的工作状态,适用于许多需要高耐压的应用环境。

    - 快速开关速度:FDB047N10具有快速的开关速度,这对于高频应用非常重要。其快速的切换能力,可以显著降低开关损耗,从而提高效率和性能。

    - 耐高温性能:FDB047N10能够在宽温度范围内稳定工作,最高结温可达175摄氏度。这使得它在高温环境下仍能保持良好的性能和可靠性,适用于各种严苛的工作环境。

    综上所述,FDB047N10作为一款高性能的MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压、高开关速度和耐高温性能,广泛应用于电源管理系统、电动工具、汽车电子、消费电子产品和工业控制系统等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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