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场效应MOS管FDB039N06参数

PD最大耗散功率:231WID最大漏源电流:174AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.0039ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB039N06是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDB039N06常用于开关电源和电池管理系统中。它的高效率和低导通电阻使其能够在高电流条件下稳定工作,减少能量损耗,提高整体系统效率。

    2. 电机控制:在电动车和工业电机驱动控制中,FDB039N06能够高效地转换和控制电能,确保电机在各种负载下平稳运行。其快速开关特性和高耐压能力,使其非常适合用于电机控制电路中。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,FDB039N06被用于逆变器的DC-AC转换部分。它能有效地将直流电转换为交流电,最大限度地提高太阳能电池板的能量输出效率。

    4. DC-DC转换器:FDB039N06广泛应用于DC-DC转换器中,用于不同电压等级的电能转换和调节。它的低损耗和高可靠性,使其成为移动设备和通信设备电源模块的理想选择。

    5. 汽车电子:在汽车电子领域,FDB039N06被用于电子控制单元(ECU)、电动窗、车灯控制等应用中。它的高耐压和高电流处理能力,确保在苛刻的汽车环境下能够稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDB039N06的导通电阻典型值为3.9毫欧,这使得其在高电流应用中具有极低的导通损耗,从而提高系统效率并减少热量产生。

    - 高击穿电压:该器件的漏源击穿电压(BVDSS)为60V,确保其在各种应用中具有足够的电压裕度,可以应对高电压冲击。

    - 高脉冲电流能力:FDB039N06能够处理高达160A的脉冲电流,这使得其在电机驱动和电源管理应用中能够承受瞬时高电流而不损坏。

    - 快速开关特性:它具有快速的开关速度,栅极电荷(Qg)为90nC,使其在高频开关应用中表现出色,减少开关损耗,提高工作效率。

    - 耐高温性能:FDB039N06的工作结温范围为-55°C至175°C,适合在各种苛刻环境下使用,确保在高温条件下仍能可靠运行。

    综上所述,FDB039N06作为一种高效、可靠的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用前景和优异的参数特点。其低导通电阻、高击穿电压、高脉冲电流能力、快速开关特性和耐高温性能,使其成为电源管理、电机控制、太阳能逆变器、DC-DC转换器和汽车电子等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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