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场效应MOS管FDA70N20参数

PD最大耗散功率:417WID最大漏源电流:70AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.035ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDA70N20是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FDA70N20常用于开关电源中作为主开关元件。其高效的开关特性和低导通电阻使其在高频操作中表现优异,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。

    2. 电机控制:在电机控制系统中,FDA70N20作为驱动器来控制电机的开启和关闭。其高电流处理能力和耐高压特性,使其能够应对电机启动时的瞬时高电流,并提供稳定的驱动性能。

    3. 不间断电源(UPS):FDA70N20在UPS系统中用作逆变器元件,将直流电转换为交流电。其快速的开关速度和低导通电阻有助于提高逆变器的效率和性能。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,FDA70N20作为逆变器的核心开关元件,负责将直流电转换为交流电。其高效率和高可靠性对提高整个系统的能量转换效率至关重要。

    5. 电动汽车充电器:FDA70N20被广泛应用于电动汽车充电器中,作为充电模块的核心开关器件。其高电流处理能力和高效的开关性能,确保了充电器的高效工作和安全性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):FDA70N20具有非常低的导通电阻,典型值为0.014欧姆。这一特性使其在导通状态下的功耗极低,有助于提高整体电路的效率和减少热量产生。

    - 额定电流和电压:FDA70N20的最大连续漏极电流(ID)为70安培,最大漏源极电压(VDSS)为200伏。这使得它可以处理大电流和高电压应用,适合用于需要高功率处理能力的场合。

    - 开关特性:FDA70N20具有快速的开关速度,其典型的上升时间和下降时间分别为45纳秒和50纳秒。这一特性使其能够在高频操作中保持高效,适用于高频开关电源和逆变器应用。

    - 栅极电荷(Qg):FDA70N20的总栅极电荷为140纳库伦,这意味着其驱动需求较低,有助于简化驱动电路设计,并减少驱动损耗。

    - 热性能:FDA70N20具有优良的热性能,其最大结温为175摄氏度,热阻(结到壳)为0.75°C/W。这使得它在高功率应用中能够有效散热,确保器件的长期可靠性。

    综上所述,FDA70N20作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度以及优良的热性能,广泛应用于开关电源、电机控制、不间断电源、太阳能逆变器和电动汽车充电器等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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