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场效应MOS管FDA59N25参数

PD最大耗散功率:392WID最大漏源电流:59AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.049ΩVRDS(ON)ld通态电流:29.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDA59N25是一种场效应晶体管(FET),常用于各种电子设备和电路中。下面我们将详细介绍它的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDA59N25可用作功率开关,用于控制电源的开关和调节,例如在开关电源和DC-DC转换器中。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,FDA59N25可用作电机的驱动器,实现电机的启动、停止和速度控制。

    3. 照明:在LED照明系统中,FDA59N25可用于调节LED的亮度和控制LED灯条或灯泡的开关。

    4. 电源逆变器:FDA59N25可用于构建电源逆变器,将直流电源转换为交流电源,常见于太阳能逆变器和UPS系统中。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,FDA59N25可用于车载电源管理、电动汽车电机控制等方面。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):FDA59N25具有较低的导通电阻,能够降低功率损耗和提高效率,在高功率应用中表现出色。

    2. 高耐压能力:作为N沟道MOSFETFDA59N25具有较高的耐压能力,可在较高电压下工作,适用于各种电源和驱动电路。

    3. 快速开关特性:FDA59N25具有快速的开关速度,有助于提高电路的响应速度和效率,在需要频繁开关的应用中表现出色。

    4. 可靠性:由于采用了优质的材料和制造工艺,FDA59N25具有良好的可靠性和稳定性,能够在各种恶劣环境下长时间稳定工作。

    5. 热特性:FDA59N25具有良好的热特性,能够有效地散热,降低温升,提高工作效率和可靠性,适用于高温环境下的应用场景。

    综上所述,FDA59N25作为一种功能强大的场效应晶体管,在电源管理、电机驱动、照明等领域具有广泛的应用前景,其低导通电阻、高耐压能力、快速开关特性、可靠性和良好的热特性使其成为众多电子设备和电路中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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