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场效应MOS管FCPF7N60NT参数

PD最大耗散功率:30.5WID最大漏源电流:6.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.52ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FCPF7N60NT是一款N沟道功率MOSFET,广泛用于各种开关电源和功率转换应用中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FCPF7N60NT常用于开关电源(SMPS)中,能够高效地转换电能。例如,在计算机电源、工业电源和通信设备电源中,FCPF7N60NT能够提供高效的功率转换和电源管理。

    2. 照明设备:在LED照明系统中,FCPF7N60NT用于驱动电路,确保稳定和高效的电流供应,从而延长LED的使用寿命。

    3. 电动工具:用于各种电动工具的电源管理系统,FCPF7N60NT能提供高效的电流控制,保证工具的可靠运行。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和可再生能源系统中,FCPF7N60NT用于电池管理系统,优化电池充放电过程,提高整体系统的效率和寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FCPF7N60NT具有低导通电阻(RDS(on)),这使得其在开关过程中产生的功率损耗较低,提高了整体系统的效率。

    - 高击穿电压:这款MOSFET的击穿电压高达600V,适用于高电压应用,能够在高压环境中提供稳定的性能。

    - 快速开关速度:FCPF7N60NT的开关速度非常快,能够在高频应用中高效运行,减少开关损耗。

    - 强大的热性能:该MOSFET具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,确保长时间运行的可靠性。

    - 紧凑封装:FCPF7N60NT采用紧凑的封装设计,适合于空间受限的应用,便于集成到各种电路板中。

    综上所述,FCPF7N60NT是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种应用场景,从开关电源到照明设备和电动工具。其低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度和强大的热性能,使其成为功率转换和管理的理想选择。在各种高效能和高可靠性要求的应用中,FCPF7N60NT都能提供卓越的性能,确保系统的稳定和高效运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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