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场效应MOS管FCP4N60参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:3.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FCP4N60是一种N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子和电力设备中。其独特的参数和特点使其在多个应用场景中成为理想选择。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FCP4N60因其高击穿电压和低导通电阻而被广泛应用于开关电源(SMPS)中。它能够在高压环境下有效工作,确保电源的稳定输出。

    2. 电机驱动:FCP4N60在电机控制电路中非常常见。它的快速开关能力使其能够有效地控制电机的启动和停止,提高系统的响应速度和效率。

    3. 照明设备:在LED驱动电路中,FCP4N60能够提供稳定的电流输出,确保LED灯的亮度和寿命。其高效能和低功耗特点使其成为LED照明应用中的理想选择。

    4. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中,FCP4N60因其高效率和可靠性被广泛使用。它能够在高频环境下稳定工作,提高系统的整体效率。

    5. 工业自动化设备:FCP4N60在PLC、DCS等工业自动化控制系统中用于各种电源和信号控制,确保设备的高可靠性和长寿命。

    二、参数特点:

    - 击穿电压:FCP4N60具有600V的高击穿电压,使其能够在高电压环境下安全工作。这一特性非常适合需要高电压耐受能力的应用场景。

    - 导通电阻:FCP4N60的导通电阻仅为2.2Ω(最大值),这意味着在导通状态下,它能够有效地降低功耗,提高系统的效率。

    - 漏源极电流:在25℃环境下,FCP4N60的漏源极电流最大为4A,能够满足大多数中小功率电路的需求。

    - 开关速度:FCP4N60具有极快的开关速度,这对于高频率的电源和控制电路来说是非常重要的。它的快速响应能力能够显著提高系统的整体性能。

    - 结温范围:FCP4N60的工作结温范围为-55℃至150℃,这使得它在各种严苛的环境中都能稳定工作,具有很强的环境适应性。

    通过以上详细分析,FCP4N60以其卓越的电气参数和多样的应用场景,成为电子工程师在设计和选择元件时的优先考虑对象。其高效能、可靠性和广泛的适用性,使其在现代电子设备中发挥着至关重要的作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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