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场效应MOS管FCP36N60N参数

PD最大耗散功率:312WID最大漏源电流:36AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.09ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FCP36N60N是一种高效能的场效应晶体管(MOSFET),其设计主要用于各种需要高效率和高开关速度的应用场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FCP36N60N常用作主开关器件,其低导通电阻和高击穿电压确保了电源的高效能和可靠性。

    2. 光伏逆变器:由于光伏逆变器需要高效的电能转换,FCP36N60N的高开关速度和低损耗特性使其成为理想选择。

    3. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电设备中,FCP36N60N可以处理高功率且需要高效能的电能转换,从而提高充电效率。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FCP36N60N能够提供稳定的电源输出,确保设备在断电时也能持续运作。

    5. 工业电机驱动:在工业领域,电机驱动系统要求高效能和高可靠性,FCP36N60N的优越性能满足了这些需求。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FCP36N60N的击穿电压为600V,这使得它能够在高压应用中安全工作,提供更高的电能转换效率和可靠性。

    - 低导通电阻:FCP36N60N的导通电阻(RDS(on))非常低,仅为0.36Ω(典型值),这大大减少了导通损耗,提高了整体效率。

    - 高开关速度:FCP36N60N的快速开关特性使其在高频应用中表现出色,能够显著减少开关损耗。

    - 高电流能力:FCP36N60N的最大连续漏极电流为36A,这意味着它可以处理高电流负载,适用于大功率应用。

    - 低栅极电荷:FCP36N60N的栅极电荷(Qg)较低,只有67nC(典型值),这有助于降低驱动功率需求,提高整体效率。

    综上所述,FCP36N60N是一款高性能的场效应晶体管,适用于多种环境,从开关电源、光伏逆变器、电动汽车充电桩到不间断电源和工业电机驱动中。其卓越的性能和稳定性使其成为这些领域中理想的选择,能够有效提高设备的整体效能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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