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场效应MOS管FCP25N60N参数

PD最大耗散功率:216WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.125ΩVRDS(ON)ld通态电流:12.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FCP25N60N是一种N沟道功率MOSFET,具有高电压和高电流的处理能力,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍FCP25N60N的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FCP25N60N常用于开关电源(SMPS)中。由于其高效率和快速开关特性,使其在AC-DC和DC-DC转换器中发挥重要作用。特别是在计算机电源、手机充电器和工业电源中,FCP25N60N能够有效减少功耗,提高电源的可靠性。

    2. 逆变器:在太阳能光伏系统和不间断电源(UPS)系统中,FCP25N60N作为逆变器的关键组件,可以高效地将直流电转换为交流电。这种应用场景要求MOSFET具备高耐压和低导通电阻,以确保能量转换的效率和稳定性。

    3. 电动机驱动:在电动汽车和工业电动机控制中,FCP25N60N因其出色的电流处理能力和耐用性,广泛用于电动机驱动器。这种应用需要MOSFET具备快速响应和高功率密度,以实现高效的电机控制。

    4. 电焊机:电焊机的工作环境复杂,对电子元器件的要求非常高。FCP25N60N凭借其高耐压、高电流和耐热性能,能够在电焊机的高频开关电路中提供稳定可靠的表现。

    5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,FCP25N60N能够提供高效的电流传输和低失真率,确保音频信号的高质量放大,满足音响设备对功率元件的苛刻要求。

    二、参数特点:

    - 高耐压:FCP25N60N的最大漏源电压(Vds)为600V,适合用于高压环境中的电力转换和电机驱动等应用。这一高耐压特性确保了设备在高电压条件下的安全运行。

    - 大电流处理能力:其最大连续漏极电流(Id)为25A,使得FCP25N60N能够处理大电流负载,适用于需要高电流传输的应用场合,如电动机驱动和开关电源。

    - 低导通电阻:FCP25N60N具有低导通电阻(Rds(on)),在25°C时典型值为0.18Ω。这一特点减少了在开关过程中的功率损耗,提高了整个系统的效率和性能。

    - 快速开关速度:FCP25N60N的栅极电荷(Qg)较低,确保其具备快速的开关速度。这一特性在高频应用中尤为重要,可以显著提高转换效率,减少开关损耗。

    - 耐热性能优越:FCP25N60N具有良好的热性能,结温最高可达175°C。其低热阻封装和高散热能力,保证了在高功率和高温工作条件下的稳定性和可靠性。

    综上所述,FCP25N60N凭借其高耐压、大电流处理能力、低导通电阻、快速开关速度和优异的耐热性能,成为各类电力电子设备中的理想选择。在开关电源、逆变器、电动机驱动、电焊机和音频放大器等应用中,FCP25N60N都展现出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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