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场效应MOS管FCP21N60N参数

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    FCP21N60N是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,FCP21N60N作为开关元件,用于控制电流的通断,从而实现电压转换和电源管理。这种应用对MOSFET的开关速度和耐压能力有较高的要求。

    2. 逆变器:在光伏逆变器和风力发电逆变器中,FCP21N60N用于将直流电转换为交流电。这种应用需要MOSFET具有高效率和高可靠性,以应对持续的高功率输出。

    3. 电动汽车充电器:在电动汽车充电器中,FCP21N60N用于电能转换和管理,确保电池能够安全快速地充电。这种应用需要MOSFET具备高效的能量传输和散热能力。

    4. 电机驱动:在工业电机驱动系统中,FCP21N60N用于控制电机的启动、停止和速度调节。这种应用要求MOSFET具有高电流处理能力和耐久性,以确保长期稳定运行。

    5. 电源适配器:在笔记本电脑和其他便携式设备的电源适配器中,FCP21N60N用于稳压和电流调节,保证设备能够安全供电。这种应用需要MOSFET具有低导通电阻和高开关速度。

    二、参数特点:

    - 耐压高:FCP21N60N的漏源电压(Vdss)为600V,能够承受较高的电压应力,这使其在高压应用中表现出色,适用于各种需要高电压隔离的电路设计。

    - 低导通电阻:FCP21N60N的导通电阻(Rds(on))仅为0.21Ω,导通时的功耗较低,能够提高系统的能效,减少热量产生,有助于提高整体的可靠性和寿命。

    - 高电流处理能力:FCP21N60N的连续漏极电流(Id)为21A,能够处理较大的电流,使其适用于大功率应用,如电机驱动和电源管理。

    - 快速开关速度:FCP21N60N具有较短的开关时间,这对于开关电源和逆变器等需要快速切换的应用尤为重要。快速开关能够提高系统的效率,减少电磁干扰。

    - 良好的热性能:FCP21N60N具有较低的热阻和良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作。这使其在高功率、高频率的应用中,依然能够保持优良的性能和可靠性。

    通过对FCP21N60N的应用场景和参数特点的详细分析,可以看出,这款MOSFET在电源管理和高功率应用中具有广泛的应用前景和优异的性能表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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