收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FCP16N60N参数

场效应MOS管FCP16N60N参数

PD最大耗散功率:134.4WID最大漏源电流:16AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.199ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FCP16N60N是一款N沟道功率MOSFET,它在许多电子设备和电力管理系统中都有广泛应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源适配器:FCP16N60N常用于开关电源和适配器中。由于其低导通电阻和高电流承载能力,可以提高电源转换效率,减少能量损耗,提升电源的整体性能。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和电机控制器中,FCP16N60N发挥着重要作用。其高压耐受性和高开关速度可以确保电动汽车在各种工作条件下的稳定运行。

    3. 工业控制:工业自动化设备需要高可靠性的电源管理组件,FCP16N60N因其高耐压性和强大的电流处理能力,常被应用于变频器、伺服驱动器和PLC等工业控制设备中。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能系统中,FCP16N60N用于逆变器和功率优化器,确保太阳能电池板产生的直流电能高效转换为交流电,提升系统的整体效率。

    5. 消费电子:从电视机到智能音箱,各类消费电子产品中的电源管理模块都可以采用FCP16N60N,提高设备的能效和稳定性,延长使用寿命。

    二、参数特点:

    1. 高电压耐受性:FCP16N60N的漏源击穿电压为600V,适合高压应用。这一特性使其能够在需要高电压操作的场景中保持稳定的性能。

    2. 低导通电阻:该器件的典型导通电阻为0.38欧姆,在大电流通过时能有效减少功耗,提高电能利用率。这对于电源转换效率要求高的应用场景非常重要。

    3. 高脉冲电流处理能力:FCP16N60N可以处理高达16A的脉冲电流,这使得它在需要快速响应的大电流应用中表现出色,例如电机驱动和开关电源。

    4. 快速开关速度:其快速的开关特性可以减少开关损耗,提高系统的效率和性能。特别适用于高频开关电路,如DC-DC转换器和逆变器。

    5. 低栅极电荷:FCP16N60N的栅极电荷较低,仅为65nC,这意味着在高频开关应用中,所需的驱动能量较低,可以进一步提高系统效率并减少驱动电路的复杂性。

    综上所述,FCP16N60N是一款性能优越、适用广泛的功率MOSFET,能够满足多种复杂电子设备的需求,提升其工作效率和稳定性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号