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场效应MOS管FCP13N60N参数

PD最大耗散功率:116WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.258ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FCP13N60N是一种高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FCP13N60N在开关电源中充当开关器件,能够高效地转换电能。由于其高击穿电压和低导通电阻,FCP13N60N在开关电源中表现出优异的性能,能够提高系统的转换效率和可靠性。

    2. 电动机驱动:在电动机驱动应用中,FCP13N60N可以用作逆变器中的开关器件。其快速开关速度和低导通损耗使其能够在高频环境下稳定运行,满足电动机高效、稳定运行的需求。

    3. 电源管理系统:FCP13N60N还广泛应用于各种电源管理系统中,如不间断电源(UPS)和太阳能逆变器。其高电压耐受能力和高效能使其能够处理高功率和高电压的电源管理任务,提高系统的整体可靠性和效率。

    4. 照明设备:在LED照明设备中,FCP13N60N作为驱动电路的开关元件,能够提供高效的电能转换,延长LED的使用寿命,并且减少能源消耗。

    5. 工业控制系统:在工业控制系统中,FCP13N60N常用于变频器和控制器中,其高效、可靠的性能可以满足工业环境下严苛的使用需求。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FCP13N60N的击穿电压高达600V,这使其能够在高电压应用场景中可靠运行,防止电压突变导致的损坏。

    - 低导通电阻:FCP13N60N的导通电阻(RDS(on))仅为0.46Ω,这在降低导通损耗的同时,提高了系统的整体效率,有助于节能降耗。

    - 高开关速度:该型号的MOSFET具有快速开关速度,这使其在高频应用中表现出色。其快速的开关能力减少了开关损耗,提升了系统的响应速度和效率。

    - 高脉冲电流能力:FCP13N60N具有良好的脉冲电流处理能力,能够承受较高的瞬时电流,使其在需要大电流瞬时响应的场合中依然能够稳定工作。

    - 热性能优异:FCP13N60N设计上具有较低的热阻,能够有效散热,确保在高功率应用中不会因为温度过高而影响性能。这一特点使其在需要长时间稳定运行的设备中尤为重要。

    综上所述,FCP13N60N凭借其高击穿电压、低导通电阻、快速开关速度、高脉冲电流能力和优异的热性能,成为许多电力电子应用中的理想选择。其广泛应用于开关电源、电动机驱动、电源管理系统、照明设备以及工业控制系统中,展示了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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