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场效应MOS管FCP11N60参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.38ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FCP11N60是一款高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效率和高可靠性的电源管理系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FCP11N60常用于开关电源中,特别是高频开关电源。它的高耐压特性和低导通电阻使其在高压转换过程中具有优异的表现,提升了整体电源的转换效率。

    2. 光伏逆变器:在光伏逆变器中,FCP11N60用于直流到交流的高效转换。它能承受高电压和高频率的工作环境,有效提升逆变器的能效,减少功率损耗。

    3. 电机驱动:在工业和家用电器的电机驱动电路中,FCP11N60因其出色的开关性能和高电流承载能力,确保了电机运行的稳定性和效率。

    4. LED驱动电源:FCP11N60适用于高压LED驱动电源的设计。它的高开关速度和低导通电阻有助于提高LED驱动电源的性能和寿命。

    5. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FCP11N60被用作主要的功率转换器件。它的高效能和高可靠性确保了在电力中断时提供持续稳定的电源供应。

    二、参数特点:

    - 耐压值:FCP11N60的漏源极耐压(VDS)高达600V,这使其适用于高压应用环境,提供了足够的电压裕度来处理瞬态高压和浪涌。

    - 导通电阻:在典型的工作条件下,FCP11N60的导通电阻(RDS(on))约为0.56Ω,这使得器件在导通时的功率损耗非常低,从而提高了整体电路的效率。

    - 漏极电流:FCP11N60的连续漏极电流(ID)为11A,能够满足大部分高功率应用的需求,同时在瞬态情况下,其峰值电流能力更高。

    - 开关特性:FCP11N60具有快速的开关速度,开关时间在纳秒级别,使其在高频应用中表现出色。这有助于降低开关损耗和提高系统的整体效率。

    - 热性能:FCP11N60的结温最高可达150摄氏度,具有良好的热稳定性和散热性能,适合在恶劣的工作环境中使用,确保长期稳定运行。

    通过以上分析,可以看出FCP11N60在高压、高效和高可靠性应用中具有显著优势。其广泛的应用场景和卓越的参数特性,使其成为各种电源管理和转换系统中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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