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场效应MOS管FCD900N60Z参数

PD最大耗散功率:52WID最大漏源电流:4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.3~3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FCD900N60Z是一款高性能场效应晶体管(MOSFET),其主要特点是高效率、低导通电阻和优异的开关性能。广泛应用于各类电力电子装置中,特别是在开关场景中需要高电压、高频率的场合。

    一、应用场景

    1.开关电源:FCD900N60Z特别适合DC-DC转换器和AC-DC转换器中的高效率开关电源设计,有效降低开关损耗,提高系统效率。

    2.逆变器:对于太阳能和风能逆变器系统,FCD900N60Z因其耐压和高频特性而成为理想的选择。

    3.电机控制:在工业自动化设备、机器人等电机驱动和控制系统中效果特别好,可减少功率损耗并提高整体能源效率。

    4.电池管理系统:这是锂电池管理的情况。该装置可用于高压充放电控制,保证系统安全稳定。

    5.不间断电源(UPS):在UPS设备中,FCD900N60Z具有快速切换和高效率的性能,耐压高达600V,特别适合高电压下的高压切换应用。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:典型的低导通电阻可降低大电流应用中的功耗并提高整体效率。

    - 开关速度快:FCD900N60Z具有优异的开关特性,适合高频应用,可有效降低开关损耗,提高系统的动态响应能力。

    - 热稳定性:该器件具有优异的热稳定性,适合在高功率密度应用中长期运行,减少过热问题。

    - 外壳形状:FCD900N60Z采用优化外壳,提高散热性能,即使在高温环境下也能稳定运行。

    综上所述,FCD900N60Z是一款性能优异的高压MOSFET,可以满足各种高要求电压要求、高频应用的需求。其高效率、低损耗和优异的开关性能使其成为许多电力电子设备中必不可少的关键部件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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