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场效应MOS管FCD4N60参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:3.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FCD4N60是一款高压功率MOSFET,广泛应用于多种电子设备和系统中,尤其是在电源管理和转换方面。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FCD4N60常用于开关模式电源中,尤其是AC-DC转换器和DC-DC转换器。这类应用需要高效的功率转换和低开关损耗,而FCD4N60的高击穿电压和低导通电阻使其非常适合这些需求。

    2. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FCD4N60用于逆变器电路和电池管理系统,确保电力在停电时能够稳定供给负载。

    3. 照明系统:FCD4N60在LED驱动电路和荧光灯电子镇流器中有广泛应用。其高效的功率管理能力使其能够在保持高亮度输出的同时,最大程度地减少能耗。

    4. 电机控制:在工业和消费级电机控制应用中,FCD4N60可以用于驱动电机和控制电机的启动、停止及速度调节。

    5. 电力变换器:如太阳能逆变器和电动汽车充电器中,FCD4N60通过高效的电力转换和管理,提升了整体系统的性能和效率。

    二、参数特点:

    - 击穿电压(Vds):FCD4N60的击穿电压为600V,适合处理高压应用中的电力需求,确保器件在高电压环境下的稳定工作。

    - 导通电阻(Rds(on)):FCD4N60的典型导通电阻为4欧姆,这在一定程度上降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。

    - 电流容量(Id):FCD4N60的最大连续漏极电流为4安培,能够满足中等功率级别应用的需求。

    - 栅极电荷(Qg):FCD4N60具有较低的栅极电荷(约40nC),这使其在高频开关应用中能够快速开关,减少开关损耗。

    - 热阻(RθJC):FCD4N60的结-壳热阻约为1.25°C/W,有助于在高功率应用中有效散热,保证器件的可靠性和寿命。

    通过以上详细的应用场景和参数特点分析,我们可以看出FCD4N60是一款性能优越、应用广泛的高压功率MOSFET,适用于多种需要高效电力管理的电子系统。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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