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场效应MOS管FCB11N60TM参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.38ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FCB11N60TM是一种N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),其在许多应用场景中表现出色。本文将详细介绍FCB11N60TM的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FCB11N60TM在开关电源中被广泛使用。其高效的开关特性使其能够在高频环境中可靠工作,同时减少能量损耗,提高电源的整体效率。这在需要高效能量转换的情况下尤其重要,如计算机电源和服务器电源。

    2. 照明控制:在现代LED照明控制系统中,FCB11N60TM的使用频率很高。其高耐压和低导通电阻的特点,使其在控制电流时能够有效地减少功耗,从而延长LED灯的寿命并提高光效。

    3. 电机驱动:FCB11N60TM也被用于各种电机驱动应用中,例如工业电机控制和电动工具。其快速开关能力和耐高压特性,使其能够在高功率电机驱动中提供稳定的性能,同时保持较低的温升。

    4. 逆变器:逆变器在太阳能系统和不间断电源(UPS)系统中扮演着关键角色。FCB11N60TM由于其高效的开关特性和耐高压能力,非常适合用于逆变器电路中,确保系统的高可靠性和高效率。

    5. 高频焊机:在高频焊机中,FCB11N60TM的高开关速度和耐高压特性使其成为理想的选择。这些特点确保了焊机在高频操作下的稳定性和高效性。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:FCB11N60TM的耐压值高达600V,这使其能够在高压环境中安全工作。高耐压特性是其在许多高功率应用中被广泛采用的重要原因之一。

    - 导通电阻:其导通电阻(RDS(on))为0.38Ω,这使得FCB11N60TM在导通状态下具有较低的损耗,从而提高了整体效率。在需要高效率的电源和驱动电路中,这一特点尤为重要。

    - 开关速度:FCB11N60TM具有快速的开关速度。这一特性使其能够在高频操作中减少开关损耗,适用于需要高频率开关的应用,如开关电源和高频焊机。

    - 栅极电荷:其典型栅极电荷(Qg)为44nC,较低的栅极电荷使得FCB11N60TM可以更快速地进行开关操作,并且降低了驱动电路的功耗需求。

    - 热性能:FCB11N60TM具有优良的热性能,能够在高温环境下稳定运行。其结温范围为-55°C到150°C,这使得它在严苛的工业环境中也能保持良好的性能。

    综上所述,FCB11N60TM作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关速度和优良的热性能,广泛应用于各种高效能量转换和控制系统中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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