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场效应MOS管DMN6068LK3参数

PD最大耗散功率:4.12WID最大漏源电流:12.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.036ΩVRDS(ON)ld通态电流:12AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    DMN6068LK3是一款常见的N沟道增强型MOSFET(场效应管),其在电子设计和应用中发挥着重要作用。本文将详细介绍DMN6068LK3的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:DMN6068LK3广泛应用于电源管理电路中,包括DC-DC转换器和电池管理系统。其低导通电阻和高效的开关性能,使其在提高系统效率和减少热损失方面表现出色。

    2. 电动工具:在电动工具中,DMN6068LK3可以作为电机驱动器的一部分,提供高效、可靠的电流传输。其高电流处理能力使其非常适合高功率需求的应用。

    3. 消费电子:如智能手机、平板电脑等消费电子产品中,DMN6068LK3常用于充电电路和电源保护电路。其紧凑的封装和高性能使其能够在有限的空间内发挥最大功效。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,DMN6068LK3可用于控制单元和传感器接口电路中,帮助实现更高的能源效率和可靠性。

    5. 工业控制:在工业控制系统中,DMN6068LK3被用于控制电机、执行器和其他高功率设备。其高耐压和高可靠性使其在苛刻的工业环境中也能稳定运行。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:DMN6068LK3的导通电阻仅为45mΩ(典型值),这意味着在导通状态下其能有效地减少能量损耗,提高整体电路效率。

    2. 高电流处理能力:该器件的连续漏极电流(ID)为6A,脉冲漏极电流(IDM)高达24A。这使得DMN6068LK3能够处理较大电流,适合高功率应用。

    3. 耐高压:DMN6068LK3的漏源极耐压(VDS)为60V,确保其在高压环境下能够可靠工作。这对于需要高耐压的应用场景来说尤为重要。

    4. 快速开关速度:该器件的开关速度非常快,这对提高电路的开关效率和减少开关损耗有很大帮助。其典型的总栅电荷(Qg)为15nC,使其适合高速开关应用。

    5. 封装形式:DMN6068LK3采用SOT-23封装,这种封装形式具有占用空间小、散热性能好的特点,非常适合紧凑型设计需求。

    综上所述,DMN6068LK3凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,在各类电子设计中扮演着重要角色。从电源管理到工业控制,DMN6068LK3都能提供高效、可靠的解决方案,是工程师们常用的重要元器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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