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场效应MOS管DMN4030LK3参数

PD最大耗散功率:4.18WID最大漏源电流:13.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.03ΩVRDS(ON)ld通态电流:12AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    DMN4030LK3是一款常见的场效应晶体管(MOSFET),其卓越的性能使其在多个领域中广泛应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:DMN4030LK3在电源管理系统中被广泛使用,尤其是在直流-直流转换器和电压调节器中。其高效的开关特性和低导通电阻能够有效降低功耗,提高系统的整体效率。

    2. 电动汽车和混合动力汽车:在电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统中,DMN4030LK3被用来控制电流和电压。其高耐压和大电流能力确保了电池的安全性和可靠性。

    3. 消费电子设备:DMN4030LK3也被广泛应用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子设备中。其紧凑的封装和出色的热性能使其成为这些设备中电源管理和信号处理的重要元件。

    4. 工业自动化:在工业自动化领域,DMN4030LK3用于驱动电机和控制高功率设备。其快速的开关速度和高耐压特性使其能够高效地控制工业设备,减少能量损耗和提高生产效率。

    5. 可再生能源系统:在太阳能和风能发电系统中,DMN4030LK3用于功率转换和调节。其高效的能量转换能力和稳定的性能表现使其成为这些系统中关键的组成部分。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:DMN4030LK3的导通电阻(R_DS(on))非常低,典型值为30毫欧姆。这意味着在导通状态下,它能提供低损耗的电流传输,减少功率损耗,提高系统效率。

    - 高耐压能力:该型号的漏源电压(V_DS)为40伏,能够在较高电压环境下稳定工作。这使得DMN4030LK3在需要高电压控制的应用中非常适用。

    - 高电流能力:DMN4030LK3的连续漏极电流(I_D)高达10安培,能够处理大电流负载,适用于需要大电流驱动的场景。

    - 出色的热性能:DMN4030LK3具有良好的热阻特性,其结点到环境的热阻(R_θJA)为62.5°C/W。这有助于在高功率应用中散热,确保器件稳定工作。

    - 快速开关速度:DMN4030LK3具有极快的开关速度,典型的栅极电荷(Q_g)仅为10纳库伦。这使其在高频应用中能够快速响应,提高系统的响应速度和效率。

    综上所述,DMN4030LK3凭借其低导通电阻、高耐压、高电流能力、出色的热性能和快速的开关速度,成为电源管理、电动汽车、消费电子、工业自动化和可再生能源系统等领域中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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