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场效应MOS管DMN4010LK3参数

PD最大耗散功率:1.6WID最大漏源电流:11.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0115ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    DMN4010LK3是一款性能优越的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:DMN4010LK3常用于DC-DC转换器和开关电源等电源管理系统中,主要负责电流的开关和调节,确保设备能稳定、高效地工作。

    2. 负载开关:在需要对负载进行开关控制的场合,DMN4010LK3表现出色。它可以控制各种类型的负载,如电机、灯具和其他电子设备,提供稳定的开关操作。

    3. 电动工具:在电动工具如电钻、电动螺丝刀等设备中,DMN4010LK3用作电机驱动器件,提供高效的电流控制,提升工具的性能和使用寿命。

    4. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中,DMN4010LK3用于电源管理和信号处理,确保设备的稳定运行和低功耗。

    5. 汽车电子:在汽车电子领域,DMN4010LK3用于车载电源系统、灯光控制系统和其他车载电子设备,提升汽车电子系统的可靠性和效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):DMN4010LK3的导通电阻非常低,典型值为41毫欧(mΩ),这意味着在导通状态下,器件的功耗较低,能够提高系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:DMN4010LK3可以处理高达60A的连续漏极电流,适用于需要大电流传输的应用场景,确保设备的高效运行。

    - 低栅极电荷(Qg):DMN4010LK3的栅极电荷较低,仅为33nC,这使得其能够快速响应输入信号,适用于高速开关应用,减少延迟和功耗。

    - 耐高压特性:DMN4010LK3具有40V的漏源击穿电压(BVDSS),能够在较高电压条件下稳定工作,适用于高压环境中的应用。

    - 封装形式:DMN4010LK3采用先进的DFN3x3封装形式,具有优良的热性能和电气性能,适合高密度电路设计,节省PCB空间。

    综上所述,DMN4010LK3凭借其低导通电阻、高电流处理能力、低栅极电荷、耐高压特性和优良的封装形式,在电源管理、负载开关、电动工具、消费电子产品和汽车电子等多个领域得到广泛应用。其卓越的性能和可靠性,使其成为众多设计工程师的首选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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